Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Гетероструктуры со сверхрешетками GaAs/AlGaAs, выращенные методом МОС-гидридной эпитаксии: особенности роста, оптические и транспортные характеристики

Байдусь Н.В.¹, Бирюков А.А.¹, Додин Е.П.², Дроздов Ю.Н.², Дроздов М.Н.², Ноздрин Ю.Н.², Андронов А.А.²

¹Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

Research Institute for Physics and Technology, Lobachevsky State University of Nizhny Novgorod, Nizhny Novgorod, Russia

²Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Institute for Physics of Microstructures, Russian Academy of Sciences, Nizhny Novgorod, Russia

Поступила в редакцию: 15 апреля 2012 г.

Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

-1 Представлены результаты исследований закономерностей роста сверхрешеток GaAs/AlGaAs с узкими запрещенными мини-зонами методом МОС-гидридной эпитаксии. Измерены спектры фотолюминесценции, рентгеновской дифракции, определены профили распределения компонентов методом вторично-ионной масс-спектрометрии, распределение концентраций носителей заряда методом емкостного профилирования. Изучена связь технологических режимов выращивания гетероструктур с их кристаллическими характеристиками, люминесцентными и электрофизическими свойствами. Измерения фотолюминесценции свидетельствуют о высоком качестве сверхрешеток. Рентгеновская дифракция и данные по вторичным ионам подтверждают высокую периодичность сверхрешеток, выращенных в оптимизированных режимах. На сверхрешетках, выращенных в оптимальных режимах роста, получена нелинейная вольт-амперная характеристика с областью отрицательной дифференциальной проводимости при умеренных напряжениях и последующим, при больших напряжениях, ростом тока из-за туннелирования между мини-зонами. В области отрицательной дифференциальной проводимости наблюдались колебания тока на частотах ~60 МГц. Отрицательная дифференциальная проводимость и осцилляции подтверждают наличие эффекта локализации электронов в умеренных электрических полях в первой мини-зоне проводимости, возникающей вследствие брэгговского отражения носителей в сверхрешетке.

Karl Leo. High-Field Transport in Semiconductor Superlattices [Springer Tracts in Mod. PHys., v. 187]. (Springer-Verlag, Berlin Heidelberg, 2003)
L. Esaki, R. Tsu. IBM J. Res. Dev., 14, 61 (1970)
А.А. Андронов, Е.П. Додин, Д.И. Зинченко, Ю.Н. Ноздрин, А.А. Мармалюк, А.А. Падалица. Квант. электрон., 40 (5), 400 (2010)
G.B. Stringfellow. Organometallic vapor-phase epitaxy: theory and practice, 2nd ed. (Academic Press, California, USA, 1999)
В.И. Зубков. Приложение к журналу "Вестник РГРТУ", N 4, ISSN 1995-4565 (Рязань, 2009)
P. Murugan, R. Pothiraj, S.D.D. Roy, K. Ramachandran. Bull. Mater. Sci., 25 (4), 335 (2002),
А.А. Андронов, Е.П. Додин, Д.И. Зинченко, Ю.Н. Ноздрин. ФТП, 43 (2), 240 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель