"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Comparative investigation of InP/InGaAs abrupt, setback, and heterostructure-emitter heterojunction bipolar transistors
Tsai Jung-Hui1, Huang Chia-Hong1, Ma Yung-Chun1, Wu You-Ren1
1Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung, Taiwan
Поступила в редакцию: 22 февраля 2012 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2012 г.

In this paper, the characteristics of InP/InGaAs abrupt, setback, and heterostructure-emitter heterojunction bipolar transistors (HBTs) are comparatively investigated by twodimensional simulation analysis. In the setback (heterostructure-emitter) HBT, a thin 50 Angstrem undoped In0.53Ga0.47As (n-In0.53Ga0.47As) layer is inserted between n-InP emitter and p+-InGaAs base layers to lower the energy band at emitter side for decreasing the collector-emitter offset voltage. The simulated results exhibits that the abrupt HBT has the largest current gain, the largest collector-emitter offset voltage, and the smallest unity gain cutoff frequency. While, the setback and heterostructure-emitter HBTs exhibit the smallest current gain and offcet voltage, respectively. Consequentially, the demonstration and comparison of the three-type HBTs provide a promise for design in circuit applications.
  • M. Borgarino, R. Plana, M. Fendler, J.P. Vilcot, F. Mollot, J. Barette, D. Decoster, J. Graffeuil. Solid-State Electron., 44, 59 (2000)
  • K. Ishii, H. Nakajima, H. Nosaka, M. Ida, K. Kurishima, S. Yamahata, T. Enoki, T. Shibata. Electron. Lett., 39, 911 (2003)
  • J.H. Tsai, W.C. Liu, D.F. Guo, Y.C. Kang, S.Y. Chiu, W.S. Lour. Semiconductors, 42, 346 (2008)
  • W.H. Chen, T.P. Chen, C.J. Lee, C.W. Hung, K.Y. Chu, L.Y. Chen, T.H. Tsai, W.C. Liu. J. Vac. Sci. Technol. B, 26, 618 (2008)
  • Y.S. Lin, J.J. Jiang. IEEE Trans. Electron. Dev., 56, 2945 (2009)
  • J.J. Liou, C.S. Ho, L.L. Liou, C.I. Huang. Solid-State Electron., 36, 819 (1993)
  • J.H. Tsai, W.S. Lour, H.J. Shih, W.C. Liu, H.H. Lin. Semicond. Sci. Technol., 12, 1135 (1997)
  • Y.S. Lin, W.C. Hsu, S.Y. Lu, J.S. Su, W. Lin. Mater. Chem. Phys., 59, 91 (1999)
  • C.R. Bolognesi, M.W. Dvorak, P.X. Yeo, S.P. XG Watkins. IEEE Trans. Electron. Dev., 48, 2631 (2001)
  • Yuan Tian, H. Wang. Microelectronics J., 37, 595 (2006)
  • SILVACO 2000 Atals User's Manual Editor I (SILVACO Int. Santa Clara, CA, USA)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.