Гетероструктуры AlN/AlGaN для селективно-чувствительных MSM-детекторов ультрафиолетовой части спектра
Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Алкеев Н.В., Котов В.М., Дорофеев А.А., Гладышева Н.Б.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие "Пульсар", Москва, Россия
Email: mail6@pulsarnpp.ru
Поступила в редакцию: 8 апреля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 января 2011 г.
MSM-фотодетекторы на основе AlN/AlGaN-гетероструктур обладают низкими значениями темновых токов, а спектральные характеристики демонстрируют возможность использования для селективно-чувствительного солнечно-слепого детектирования с максимумом чувствительности на длине волны 240 nm.
- Бланк Т.Б., Гольдберг Ю.А. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 9. С. 1025-1055
- Ambacher O. // J. Phys. D.: Appl. Phys. 1998. Vol. 31. N 20. P. 2653-2710
- Аверин С.В., Гуляев Ю.В., Дмитриев М.Д., Потапов В.Т., Сашо Р. // Квант. электрон. 1996. Т. 23. N 3. С. 284-286
- Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Якущева Г.Г. // Тез. 6-й Всеросс. конф. "Полупроводники-2005". M., 2005. C. 281
- Yun F., Reshnikov M.A., He L., King T. et al. // J. Appl. Phys. 2002. Vol. 92. N 8. P. 4837-4839
- Seo In.-S., Lee In.-H., Park Y.-J., Lee Ch.-R. // J. Crystal Growth. 2003. Vol. 252. N 1-3. P. 51-57
- Averin S.V., Chan Y.C., Lam Y.L. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77. N 2. P. 274-276
- Su Y.K., Chang P.C., Chen C.H. et al. // Solid State Electron. 2005. Vol. 49. N 3. P. 459-463
- Averin S.V., Sachot R. // Solid State Electron. 2000. Vol. 44. N 9. P. 1627-1634
- Wong M.M., Chowdhury U., Collins C.J. et al. // Phys. Stat. Sol.(a). 2001. Vol. 188. N 1. P. 333-336
- Zang S.K., Wang W.B., Shtau I. et al. // Appl. Phys. Lett. 2002. Vol. 81. N 25. P. 4862-4864
- Yamaura J., Muraoka Y., Yamauchi T. et al. // Appl. Phys. Lett. 2003. Vol. 83. N 11. P. 2097-2099
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук