Оптимальные режимы ионной имплантации и отжига для стимулирования вторичной отрицательной ионной эмиссии
Исаханов З.А.1, Мухтаров З.Э.1, Умирзаков Б.Е.1, Рузибаева М.К.1
1Институт электроники им. У.А. Арифова АН Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
Email: isakhanov@aie.uz
Поступила в редакцию: 26 июля 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.
Определены тип, энергия, доза ионов и температура прогрева, которые позволяют обеспечить стабильную минимальную работу выхода поверхности в течение одного цикла эксперимента (не менее 2-3 min). Вторичные ионные масс-спектрограммы снимались с использованием ионов Cs+, Ba+ и Ar+. В качестве объектов исследования использованы образцы Cu, Al и Mo. Установлены оптимальные режимы ионной имплантации и температура активации, обеспечивающие стабильную минимальную работу выхода поверхности исследуемых образцов. Образцы, имплантированные ионами Ba+, выдерживают более высокие температурные и токовые нагрузки, чем образцы, имплантированные ионами Cs+. Однако в случае Cs+ работа выхода уменьшается больше (до 1.9 eV). Показано, что при evarphi=<1.85-1.9 eV практически не наблюдается выход нейтральных распыленных частиц с поверхности.
- Распыление твердых тел ионной бомбардировкой / Под ред. Р. Бериша. М.: Мир, 1984. 336 с
- Абдуллаева М.К., Аюханов А.Х. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1971. Т. 3. С. 404
- Черепин В.Т. Ионный зонд. Киев: Наук. думка, 1981. 328 с
- Алиев А.А., Исаханов З.А., Мухтаров З.Э., Рузибаева М.К. // ЖТФ. 2010. Т. 80. Вып. 1. С. 110
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.