Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2011, выпуск 5 » Статья стр. 122
<<<>>>
Магнетосопротивление пленок La0.67Ca0.33MnO3, когерентный рост которых нарушен частичной релаксацией механических напряжений
Бойков Ю.А., Волков М.П., Данилов В.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 28 сентября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.
PDF версия
Вследствие значительного положительного рассогласования (m=1.8%) в параметрах кристаллических решеток La0.67Ca0.33MnO3 и LaAlO3, манганитные пленки, сформированные на подложках из алюмината лантана, находятся под действием двухосных сжимающих механических напряжений. Жесткая связь с подложкой обусловливает существенное тетрагональное искажение (gamma~ 1.04) элементарной ячейки в прослойке манганитной пленки толщиной порядка 20 nm, выращенной когерентно на (001)LaAlO3, а в остальной части (~ 75%) объема манганитного слоя напряжения частично релаксировали. Релаксация напряжений сопровождается уменьшением gamma, а эффективный объем элементарной ячейки пленки La0.67Ca0.33MnO3 при этом возрастает. Релаксированный слой в пленке La0.67Ca0.33MnO3 состоит из кристаллических зерен с латеральными размерами 50-200 nm, относительная азимутальная разориентация которых составляет приблизительно 0.3 deg. Максимум на температурных зависимостях электросопротивления rho и отрицательного магнетосопротивления MR выращенных манганитных пленок наблюдается при температуре 240 и 215 K соответственно. При температуре ниже 50 K зависимости rho от магнитной индукции, измеренные при сканировании последней в последовательности 0-> 14 T->0, становились гистерезисными.
  1. Pannetier M., Fermon C., Goff G.Le, Simola J., Terr T. // Science. 2004. Vol. 204. N 5677. P. 1648
  2. Tokura Y. // Colossal Magnetoresistive Oxides. Amsterdam: Gordon And Breach, 2000. P. 3
  3. Wu X.W., Rzchowski M.S., Wang H.S., Li Qi // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 61. N 12. P. 501
  4. Boikov Yu.A., Gunnarsson R., Claeson T. // J. Appl. Phys. 2004. Vol. 96. N 1. P. 435
  5. Nathur N.D., Littlewood P.B. // Physics Today. 2003. Vol. 56. N 1. P. 25
  6. Fath M., Freisem S., Menovsky A.A., Tomioka Y., Aarts J., Mydosh J. // Science. 1999. Vol. 285. P. 1540
  7. Bibes M., Baicells L.I., Valencia S., Fontcuberta J., Wojcik M., Jedryka E., Nadolski S. // Phys. Rev. Lett. 2001. Vol. 87. P. 067 210--1
  8. Kamins T.I. // J. Appl. Phys. 1971. Vol. 42. N 9. P. 4357
  9. Lu C.J., Wang Z.L., Kwon C., Jia Q.Z. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 88. P. 4032
  10. Wyckoff R.W.J. // Crystal structures. NY: Intersience, 1964. Vol.2. P. 394
  11. Zuccaro C., Berlincourt H.L., Klein N., Erban K. // J. Appl. Phys. 1997. Vol. 82. P. 5695
  12. Chakoumakos B.C., Scholm D.G., Urbanik M., Luine J. // J. Appl. Phys. 1998. Vol. 83. P. 1979
  13. Lebedev O.I., Van Tendelo G., Amelinckx S., Leibold B., Habermeier H.-U. // Phys. Rev. B. 1998. Vol. 58. P. 8065
  14. Wiedenborst B., Hofedner C., Lu Y., Klein J., Alff L., Gross R., Freitag B.H., Mader W. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 74. P. 3636
  15. Wollan E.O., Koehler W.C. // Phys. Rev. 1955. Vol. 100. P. 545
  16. Specht E.D., Clausing R.E., Heathly L. // J. Mater. Res. 1990. Vol. 5. N 11. P. 2351
  17. Papavassiliou G., Fardis M., Belesi V., Maris T.G., Kallias G., Pissas M., Niarchos D., Dimitropoulos C., Dolinsek J. // Phys. Rev. Lett. 2000. Vol. 84. N 4. P. 761
  18. Li Qi, Wang H.S., Hu Y.F., Wertz E. // J. Appl. Phys. 2000. Vol. 87. N 9. P. 5573
  19. Бойков Ю.А., Данилов В.А., Бойков А.Ю. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 4. С. 649
  20. Goodenough J.B. // Phys. Rev. 1955. Vol. 100. N 2. P. 564

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme