Вышедшие номера
Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе GaAs и GaSb
Лунин Л.С.1, Пащенко А.С.1
1Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
Поступила в редакцию: 29 сентября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

Представлены результаты моделирования световых вольт-амперных и ватт-вольтовых характеристик для варьируемых условий (последовательного сопротивления, температуры, диодного параметра A) и исследования абсолютной спектральной чувствительности фотоэлектрических преобразователей GaAs, GaSb. Показано, что на величину напряжения холостого хода наибольшее влияние оказывают величина диодного параметра A и температура T, а на КПД фотоэлектрического преобразователя - последовательное сопротивление и диодный параметр. Показана перспективность использования фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb и GaAs в каскадных солнечных элементах для преобразования концентрированного солнечного излучения.