Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе GaAs и GaSb

Лунин Л.С.¹, Пащенко А.С.¹

¹Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия Federal Research Center Southern Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Rostov-on-Don, Russia

Federal Research Center Southern Scientific Center of the Russian Academy of Sciences, Rostov-on-Don, Russia

Поступила в редакцию: 29 сентября 2010 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2011 г.

PDF версия

Представлены результаты моделирования световых вольт-амперных и ватт-вольтовых характеристик для варьируемых условий (последовательного сопротивления, температуры, диодного параметра A) и исследования абсолютной спектральной чувствительности фотоэлектрических преобразователей GaAs, GaSb. Показано, что на величину напряжения холостого хода наибольшее влияние оказывают величина диодного параметра A и температура T, а на КПД фотоэлектрического преобразователя - последовательное сопротивление и диодный параметр. Показана перспективность использования фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb и GaAs в каскадных солнечных элементах для преобразования концентрированного солнечного излучения.

Васильев А.М., Ландсман А.П. Полупроводниковые фотопреобразователи. 1971. М.: Советское радио, 246 с
Fahrenbruch A.L., Bube R.H. Fundamentals of Solar Cells. Photovoltaic Solar Energy Conversion. N.Y., 1983
Андреев В.М., Грилихес В.А., Румянцев В.Д. Фотоэлектрическое преобразование концентрированного солнечного излучения. Л.: Наука 1989. 310 с
King D.-L., Dudley J.K., Boyson W.E. PVSIM: A Simulation Program For Photovoltaic Cells, Modules, and Arrays. 25 IEEE PVSC, Washington, DC, May 13--17, 1996
Nema R.K., Nema S., Agnihotri G. // International Journ of Recent Trends in Engineering. 2009. Vol. 1.1. N 3
Francisco M. Gonzalez-Longatt Model of Photovoltaic Module in Matlab^TM, 2DO Congreso Iberoamericano de Estudiantes de Ingenieri a Electrica, Electronica y Computacion (II CIBELEC 2005)
Huan-Liang Tsai, Ci-Siang Tu, Yi-Jie Su "Development of Generalized Photovoltaic Model Using Matlab/SIMULINK", Proceedings of the World Congress on Engineering and Computer Science 2008, WCECS 2008, October 22--24, 2008, San Francisco, USA
Andreas Wagner "Photovoltaik Engineering", Berlin, Heidelberg: Springer--Verlag, 2006
Hering E., Martin R. (Hrsg.) "Photonik", Berlin, Heidelberg: Springer-Verlag, 2006

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель