Исследование фотодиодов на основе Mn4Si7-Si<Mn>-Mn4Si7 и Mn4Si7-Si<Mn>-M
Шукурова Д.М., Орехов А.С., Шарипов Б.З., Клечковская В.В., Камилов Т.С.1
1Ташкентский государственный технический университет им. Абу Райхана Беруни, Ташкент, Узбекистан
Поступила в редакцию: 16 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.
Проведен анализ экспериментальных фото-вольт-амперных характеристик диодов Mn4Si7-Si<Mn>- Mn4Si7 и Mn4Si7-Si<Mn>-M. Рассмотрена природа протекания тока в процессе освещения с hnu>=q Eg. Проанализирована роль контакта с Mn4Si7 при образовании высокой фоточувствительности при освещении базы диодов с hnu>=q1.14 eV при низких температурах 77-220 K. На основе данных электрических и электронно-микроскопических исследований границы раздела фаз Mn4Si7-Si<Mn>, а также фото-вольт-амперных характеристик построена структура энергетических зон в состоянии прохождения фототоков. Высокая фоточувствительность (Iph/Id>=q109) диодов при низких температурах, объяснена как модуляцией проводимости базовой области (за счет ударной ионизации), так и инжекционным усилением дырок в переходном слое.
- Бахадырханов М.К., Зайнабиддинов С., Камилов Т.С., Тешабаев А.Т. // ФТП. 1974. Т. 8. Вып. 11. С. 2263--2265
- Бахадырханов М.К., Зайнабиддинов С., Камилов Т.С., Тешабаев А.Т. // ФТП. 1975. Т. 9. Вып. 1. С. 76--79
- Бахадырханов М.К., Камилов Т.С., Тешабаев А.Т. // ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 2. С. 328--331
- Бахадырханов М.К., Камилов Т.С., Тешабаев А.Т. // ФТП. 1976. Т. 10. Вып. 4. С. 760--761
- Адашева С.И., Абдуллаев И., Вязьмина Е.А. и др. // Известия РАН. Сер. физическая. 1993. Т. 57. N 2. С. 133--136.
- Kamilov T.S., Uzokov A.A., Kabilov D.K. et all. // Proc. of 22nd International Conf. on Thermoelectrics. France, IEEE Catalog No 03TH8726. 2003. P. 388--390
- Kamilov T.S., Kabilov D.K., Samiev I.S. et al. // Proc. 24th International Conf. on Thermoelectrics. Clemson, SC, USA, IEEE Catalog No 05TH8854. 2005. P. 415--418
- Kamilov T.S., Sadullaev B.L., Ganiev U.Sh., Kamilov B.T. // Semicond. Sci. Tehnol. 1998. Vol. 13. P. 496--499
- Kamilov T.S., Chirva V.P., Kabilov D.K. // Semicond. Sci. Tehnol. 1999. Vol. 14. P. 1012
- Бахадырханов М.К., Камилов Т.С., Хусанов А.Ж., Ивакин Г.И., Занавескина И.С. // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. 2002. N 6, С. 100--103
- Камилов Т.С., Кабилов Д.К., Самиев И.С. и др. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 8. С. 140--142
- Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. М.: Высш. школа, 1974. 400 с
- Полупроводниковые формирователи сигналов изображения / Под ред. П. Йесперса, Ф. Ван де Виле, М. Уайта. М.: Мир, 1979. 560 с
- Абдурахманов К.П., Камилов Т.С., Исаев М.Ш., Турсунов У.С. / Тезисы докл. VIII совещания по физике поверхностных явлений в полупроводниках. Киев. 1984. С. 3--4
- Пирс К., Адамс А., Кац Л., Цай Дж., Сейдел Т., Макгиллис Д. Технология СБИС. В 2-х кн., кн. 1. Пер. с англ. / Под ред. С. Зи. М.: Мир. 1986. 404 с
- Березин А.С., Мочалкина О.Р. Технология и конструирование микросхем: Учеб. пос. и конструирование для вузов / Под Ред. И.П. Степаненко. М.: Радио и Связь, 1983. 232 с
- Баранов А.М., Малов Ю.А., Терешин С.А. // Письма в ЖТФ. 1997. Т. 23. Вып. 21. С. 1
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. Пер. с англ. 2-е перераб. и доп. изд. М.: Мир, 1984
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
