Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2011, выпуск 10 » Статья стр. 95
<<<>>>
Фазовое расслоение в напряженных катион-анион-дефицитных пленках Nd0.52Sr0.48MnO3
Хохлов В.А., Прохоров А.Ю., Медведев Ю.В., Николаенко Ю., Мухин А., Пащенко В.П., Левченко Г.Г., Прохоров В.Г., Солин Н.И., Svetchnikov V.L., Park J.S., Kim J.B., Lee G.Y.P.1
1q-Psi and Department of Physics, Hanyang University, 133-791 Seoul, Korea
Email: vesta-news@yandex.ru
Поступила в редакцию: 6 сентября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 2011 г.
PDF версия
Исследованы магнитные и транспортные свойства разнотолщинных катион-анион-дефицитных пленок Nd0.52Sr0.48MnO3, а также двух пленок этой системы, полученных на различных подложках SrTiO3 (STO) и LaAlO3 (LAO). Показано, что разнотолщинные пленки ниже температуры TC являются фазово-расслоенными и состоят из магнитных кластеров (капель) внутри непроводящей парамагнитной матрицы (выше температуры Нееля TN) и антиферромагнитной матрицы при T<TN. Температурные зависимости сопротивления образцов хорошо описываются в рамках поляронного механизма проводимости. Величина капель во внешнем магнитном поле H=0.01 T достигает 15 nm. Капли состоят из магнитных поляронов малого радиуса порядка 1-2 nm. Показано, что в изученных пленках капли взаимодействуют друг с другом. В результате конкуренции дипольного взаимодействия между ними и магнитной энергии эти капли распадаются на более мелкие, их размер в поле 1 T достигает размера магнитного полярона. Предложено объяснение расхождения наших результатов с часто наблюдаемым экспериментально увеличением размера капель с увеличением внешнего магнитного поля. С ростом толщины пленки растет и доля ферромагнитной доли в них, но не пропорционально их толщине. В пленке на STO (сжатой на 0.9%) характеристические температуры TC и TN оказались ниже, чем в пленке на подложке LAO. Диаметр ферромагнитных капель как максимальный при H=0.01 T, так и минимальный при H=1 T оказался примерно таким же, как и в разнотолщинных пленках.
  1. Kusters R.M., Singleton J., Keen D.A., Greevy M.C., Hayes W. // Physica B. 1989. Vol. 155. P. 362
  2. De Teresa J.M., Ibarra M.R., Algarabel P.A., Ritter C., Margulna C., Arnold Z. // Nature. 1997. Vol. 386. P. 256
  3. Кривоглаз М.А. // ФТТ. 1969. Т. 11. С. 2230; Кривоглаз М.А. // УФН. 1973. Т. 111. С. 617
  4. Солин Н.И., Машкауцан В.В., Королев А.В., Лошкарева Н.Н., Пинсард Л. // Письма в ЖЭТФ. 2003. Т. 77. С. 275
  5. Солин Н.И., Наумов С.В., Арбузова Т.И., Костромитина Н.В., Иванченко М.В., Саранин А.А., Чеботаев Н.М. // ФТТ. 2008. Т. 50. С. 1831
  6. Солин Н.И., Наумов С.В., Чеботаев Н.М., Королев А.В. // ФТТ. 2009. Т. 52. С. 269
  7. Нагаев Э.Л. // УФН. 1996. Т. 166. С. 833
  8. Dagotto E. // New J. Phys. 2005. Vol 7. P. 67
  9. Ping Sheng, Abeles B., Arie Y. // Phys. Rev. Lett. 1973. Vol. 31. P. 44
  10. Мейлихов Е.З. // ЖЭТФ. 1999. Т. 115. С. 1484
  11. Xiong G.C., Li Q., Ju H.L., GreeneR.L., Venkatesan T. // Appl. Phys. Lett. 1995. Vol. 66. P. 1689
  12. Martin M.C., Shirane G., Endo Y. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 53. P. 14 285
  13. Wang H.S., Li Q. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 73. P. 2360
  14. Sun J.Z., Abraham D.W., Rao R.A., Eom C.B. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 74. P. 3017
  15. Бойков Ю.А., Клаесон Т. // ФТТ. 2005. Т. 47. С. 274; Бойков Ю.А., Данилов В.А. // Письма в ЖТФ. 2005. Т. 31. С. 73
  16. Овсянников Г.А., Петржик А.М., Борисенко И.В., Климов А.А., Игнатов Ю А., Демидов В.В., Никитов С.А. // ЖЭТФ. 2009. Т. 135. С. 56
  17. Prokhorov V.G., Komashko V.A., Svetchnikov V.L., Lee Y.P., Park J.S. // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 69. P. 014 403
  18. Barman A., Koren G. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77. P. 1674
  19. Neupane K.P., Neumeier J.J., Cohn J.L. // J. Appl. Phys. 2009. Vol. 106. P. 123 904
  20. Prellier W., Biswas Amlan, Rajeswari M., Venkatesan T., Greene R.L. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. P. 397
  21. Дунаевский С.М. // ФТТ. 2004. Т. 46. С. 193
  22. Qian Q., Tyson T.A., Kao C.-C., Prellier W., Bai J., Biswas A., Greene R.L. // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 63. P. 224 424
  23. Варюхин В.Н., Медведев Ю.В., Николаенко Ю.М., Мухин А.Б., Беляев Б.В., Грецких В.А., Жихарев И.В., Кара-Мурза С.В., Корчикова Н.В., Тихий А.А. // Письма в ЖТФ. 2009. Т. 35. Вып. 20. С. 19
  24. Dagotto E., Hotta T., Moreo A. // Phys. Rep. 2001. Vol. 344. P. 1
  25. Shklyarevsky I.O., Shvedun M.Yu., Gnatchenko S.L., van Bentum P.J.M., Cristanen P.C., Zhao Guo-Meng, Kang D.J., Prellier W., Rajeswari M., Keller H., van Katesan T., Green R.L. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 63. P. 060 402
  26. Нагаев Э.Л. // Письма в ЖЭТФ. 1967. Т. 6. С. 484
  27. Sheng B., Abeles B. // Phys. Rev. Lett. 1972. Vol. 28. P. 34; Fratini S., Ciuchi S. // Phys. Rev. Lett. 2003. Vol. 91. P. 256 403
  28. Allia P., Coisson M., Tiberto P., Knobel M., Novak M.A., Munes W.C. // Phys. Rev. B. 2001. Vol. 64. P. 144--420; Maan J.C., Kamenev K.V. // Low Temp Phys. 2001. Vol. 27. P. 923.
  29. Rivadulla F., Lopez-Duitela M.A., Rivas J. // Phys. Rev. Lett. 2007. Vol. 93. P. 167 206
  30. Fisher D.S., Huse D.A. // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 38. P. 373
  31. Neel L. // Acad. Sci. URSS. 1949. Vol. 228. P. 664
  32. Chantrell R.W., Wohlfarth P. // Phys. Stat. Solidi. 1985. Vol. A91. P. 619
  33. Skomski P. // J. Phys. Condens. Matter. 2003. Vol. 15. P. 841
  34. Prokhorov V.G., Hyin Y.H., Park J.S., Kim J.B., Kim G.H., Lee Y.S., Lee Y.P., Svetchnikov V.L. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 104. P. 103 901
  35. Marget O., Tran M., Spasava M., Farle M. // Phys. Rev. B. 2007. Vol. 75. P. 134 410
  36. Каган М.Ю., Кугель К.И. // УФН. 2001. Т. 171. N 6. С. 577
  37. Algarabel P.A., De Teresa J.M., Blasco J., Ibarra M.R., Kapusta Cz., Sikora M., Zajac D., Riedi P.C., Ritter C. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 67. P. 134 402
  38. Mori S., Chen C.H., Cheong S.W. // Nature. 1998. Vol. 392. P. 473
  39. Солин Н.И. // ЖЭТФ. 2005. Т. 128. N 3 (9). С. 623
  40. Горбенко О.Ю., Демин Р.В. // ФТТ. 1998. Т. 40. N 2. С. 290
  41. Helman J.S., Abeles C. // Phys. Rev. Lett. 1976. Vol. 37. P. 1429
  42. Шкловский Б.И., Эфрос А.Л. Электронные свойства легированных полупроводников. М.: Наука, 1979
  43. Zhang J., Shklovsii B.U. // Phys. Rev. B. 2004. Vol. 70. P. 115 317
  44. Varma C.M. // Phys. Rev. B. 1996. Vol. 54. P. 7328
  45. Millis A.J., Littlewood P.B., Shraiman B.I. // Phys. Rev. Lett. 1995. Vol. 74. P. 5144
  46. Сбойчиков А.О., Рахманов А.Л., Кугель К.И. // ЖЭТФ. 2002. Т. 122. С. 869
  47. Teresa J.M., Ibarra M.R., Algarabal P.A. et al. // Nature. 1997. Vol. 386. P. 256
  48. Королева Л.И., Демин Р.В., Балбашов А.М. // Письма в ЖЭТФ. 1997. Т. 65. С. 449
  49. Holstein T. // Phys. Rev. 1959. Vol. 113. N 2. P. 479--496
  50. Мотт Н. Электронные процессы в некристаллических полупроводниках. М.: Мир, 1982. 663 с
  51. Zhao G., Kang D.L., Prellier W., Rajesvary M., Keller H., Ventanesan T., Green R.L. // Phys. Rev. B. 2000. Vol. 63. P. 060 402(R)
  52. Teresa S. // Phys. Rev. Lett. 2003. Vol. 91. N 5. P. 256 403-1
  53. Frohlen H., Sewell G.L. // Proc. Phys. Sol. London. 1950. Vol. 74. P. 683
  54. Kang I.G., Firsov Yu.A. // Sov. Phys. Solid State. 1964. Vol. 5. P. 2049
  55. Fratini S., Cuichi S. // Phys. Rev. Lett. 2003. Vol. 91. N 5. P. 256 403-1
  56. Горьков Л.П. // УФН. 1998. Т. 168. С. 665
  57. Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Szymczak R., Lewandowski S.J. // JETP. 2005. Vol. 101. P. 128
  58. Samoilenko Z.A., Okunev V.D., Pushenko E.I., D'yachenko T.A., Cherenkov A., Gierlowski P., Lewandowski S.J., Abal'oshev A., Klimov A., Szewczyk A. // Techn. Phys. 2003. Vol. 48. P. 250
  59. Okunev V.D., Samoilenko Z.A., Pafomov N.N., Plehov A.L., Szymczak R., Baran M., Szymczak H., Lewandowski S.J., Gierlowski P., Abal'oshev A. // Phys. Lett. A. 2004. Vol. 332. P. 275
  60. Van Roosmalen J.A. et al. // J. Solid State Chem. 1991. Vol. 93. P. 212.
  61. De Souza A., Saiful Islam M., Ivers-Tiffe Ellen // J. Solid State Chem. 1999. Vol. 9. P. 1621
  62. Alonso J.A., Marti nez-Lope M.J., Casais M.T. // J. Mater. Chem. 1997. Vol. 7. P. 2139.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme