Исследованы процессы формирования ультратонких слоев CoSi₂ в структурах Ti(8 nm)/Co(10 nm)/Ti(5 nm), TiN(18 nm)/Ti(2 nm)/Co(8 nm) и TiN(18 nm)/Co(8 nm), полученных магнетронным распылением на поверхности Si(100). Структуры подвергались двухстадийному быстрому термическому отжигу. В промежутке между стадиями отжига с поверхности химически удалялся "жертвенный" слой, а на две последние структуры дополнительно наносился аморфный кремний alpha-Si толщиной 17 nm. На различных этапах технологического маршрута проводилось комплексное исследование структур с помощью времяпролетной "катионной" вторичной ионной масс-спектрометрии, оже-электронной спектроскопии и сканирующей электронной микроскопии, совмещенной с рентгеновским дисперсионным микроанализом. Показано, что представленный комплекс аналитических измерений позволяет эффективно решать проблемы, связанные с физическим контролем процесса образования ультратонких слоев силицидов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.