Измерение микроколичеств диоксида кремния на поверхности кремния с помощью сенсоров на основе перфторированных протонпроводящих мембран
Никитин С.Е., Теруков Е.И., Тимофеев С.В., Манабаев Н.К.
Поступила в редакцию: 16 августа 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.
Исследована методика измерения микроколичества диоксида кремния, находящегося на поверхности кремния. Методика основана на растворении тонких слоев SiO2 в водных растворах фтористоводородной кислоты с последующим анализом полученных растворов с помощью сенсоров на основе перфторированных протонпроводящих мембран. Показана возможность количестванного определения не менее 1·10-6 mol диоксида кремния, находившегося на поверхности кремния.
- Антонова И.В., Гуляев М.Б., Яновицкая З.Ш., Володин В.А., Марин Д.В., Ефремов М.Д., Goldstein Y., Jedrzejwski J. // ФТП. 2006. Т. 40. Вып. 10. С. 1229--1236
- Pavesi L. // J. Phys.: Condens. Matter. 2003. Vol. 15. R1169
- Иванчев С.С., Мякин С.В. // Успехи химии. 2010. Т. 79. N 2. С. 117--134
- Bessarabov D., Sanderson R. // J. Membrane Sci. 2004. Vol. 244. N 1--2. P. 69--76
- Демина О.А., Березина Н.П., Анникова Л.А., Демин А.В., Тимофеев С.В. // Серия Критические технологии. Мембраны. 2007. N 3(35). С. 11--17
- Berezina N.P., Gnusin N.P., Dyomina O.A., Timofeev S.V. // J. Membrane Sci. 1994. Vol. 86. P. 207--229
- Дамаскин Б.Б., Петрий О.А. Основы теоретической электрохимии. М.: Высшая школа, 1978. С. 10--11
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук