Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2012, выпуск 7 » Статья стр. 107
<<<>>>
Влияние уровня вакуума на автоэлектронную эмиссию из нанографитных пленок
Васильева Е.А.1, Клещ В.И.1, Образцов А.Н.1
1Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Email: vasilieva@polly.phys.msu.ru
Поступила в редакцию: 4 октября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2012 г.
PDF версия
Представлены результаты экспериментального исследования влияния уровня вакуума на автоэлектронную эмиссию из нанографитных пленок, полученных по методу плазмохимического осаждения. Показано, что стабильная эмиссия электронов со значением пороговго поля 1-2 V/mum при плотности тока 0.1 mA/cm2 из нанографита наблюдается при давлении остаточных газов в измерительной камере менее 10-5 Torr. При более высоком давлении имеет место постепенная деградация автоэмиссионных свойств пленок со временем. Последующая откачка камеры до давления 10-5 Torr частично восстанавливает эмиссионные характеристики. Такое поведение нанографитных эмиттеров объясняется влиянием адсорбционно-десорбционных процессов (обратимая деградация эмиссии) и разрушением материала пленки вследствие бомбардировки ионами остаточных газов (необратимые изменения).
  1. Елецкий А.В. // УФН. 2010. Т. 180. С. 897
  2. Клещ В.И., Образцов А.Н., Образцова Е.Д. // Письма в ЖЭТФ. 2009. Т. 90. С. 510
  3. Jensen K., Kim R., Zettl A. // Nature Nanotech. 2008. Vol. 3. P. 533
  4. Jensen K., Weldon J., Garcia H., Zettl A. // Nano Lett. 2007. Vol. 7. P. 3508
  5. Janhunen P., Toivanen P.K., Polkko J. et al. // Rev. Scientific Instr. 2010. Vol. 81. P. 111 301
  6. Li Ch., Zhang Y., Mann M., Hasko D., Lei W., Wang B., Chu D., Pribalt D., Amaratunga G.A.G., Milne W.I. // Appl. Phys. Lett. 2010. Vol. 97. P. 113 107
  7. Spindt C.A., Brodie I., Humphrey L., Westerberg E.R. // J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47. P. 5248
  8. Obraztsov A.N., Kleshch V.I. // J. of Nanoelectronics and Optoelectronics. 2009. Vol. 4. P. 207
  9. Wadhawan A., Stallcup II R.E., Stephens II K.F., Pereza J.M., Akwani I.A. // Appl. Phys. Lett. 2001. Vol. 79. P. 1867
  10. Bonard J.-M., Salvetat J.-P., Stockli T., Heer W.A., Forro L., Chatelain A. // Appl. Phys. Lett. 1998. Vol. 73. P. 918
  11. Dean K.A., Chalamala B.R. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. P. 3017
  12. Purcell S.T., Vincent P., Journet C., Binh V.T. // Phys. Rev. Lett. 2002. Vol. 88. P. 105 502
  13. Bonard J.-M., Klinke Ch., Dean K.A., Coll B.F. // Phys. Rev. B. 2003. Vol. 67. 115 406
  14. Kleshch V.I., Susi T., Nasibulin A.G., Obraztsova E.D., Obraztsov A.N., Kauppinen E.I. // Phys. Stat. Sol. B. 2010. Vol. 247. P. 3051
  15. Шешин Е.П. Структура поверхности и автоэмиссионные свойства углеродных материалов. М.: МФТИ, 2001. С. 288
  16. Елинсон М.И., Васильев Г.Ф. Автоэлектронная эмиссия. М.: Физматгиз, 1958. С. 272

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme