Анализ спектров фотопроводимости при большой инерционности фотоответа
Баженов Н.Л.1, Мынбаева М.Г.1, Мынбаев К.Д.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: bazhnil.ivom@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 4 июля 2011 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2012 г.
На примере гетероструктур с "медленными" зарядовыми состояниями на гетерогранице рассмотрена проблема регистрации спектров фотоответа в полупроводниках с эффектом остаточной фотопроводимости. Предложенные варианты решения этой проблемы включают использование модуляции возбуждения или восстановление истинной формы спектра, записанного на постоянном токе.
- Chosh S. // Phase Transit. 2004. Vol. 77. N 8. P. 791--821
- Мынбаева М.Г., Ситникова А.А., Мынбаев К.Д. // ФТП. 2011. Т. 45. Вып. 10. С. 1369--1372
- Monroy E., Omnes F., Calle F. // Semicond. Sci. Technol. 2003. Vol. 18. N 4. P. R33-R51
- Chuan L.S., Hassan Z., Abu Hassan H. // Optoelectron. Adv. Mat. 2007. Vol. 1. N 8. P. 400--403
- Munoz E. // Phys. Stat. Sol. (b). 2007. Vol. 244. N 8. P. 2859--2877
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
