МПМ-фотодиоды на основе широкозонных гетероструктур ZnCdS/GaP
Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Алкеев Н.В., Котов В.М., Захаров Л.Ю., Гладышева Н.Б.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие "Пульсар", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 16 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2012 г.
Высококачественные эпитаксиальные слои ZnCdS выращены на полупроводниковых подложках GaP методом MOCVD и на их основе изготовлены и исследованы фотодиодные структуры в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ). Диодные структуры характеризуются низкими величинами темновых токов. Установлена зависимость характеристик спектрального отклика детекторов от напряжения смещения. Длинноволновая граница отклика ZnCdS/GaP МПМ-фотодиода может сдвигаться с 355 до 440 nm при измерении напряжения смещения с 40 до 80 V. На длине волны максимальной фоточувствительности (355 nm) ампер-ваттная чувствительность детектора составила 0.1 A/W.
- Бланк Т.Б., Гольдберг Ю.А. // ФТП. 2003. Т. 37. Вып. 9. С. 1025--1055
- Monroy E., Munoz E., Sanchez F.J., Calle F., Calleja E. et al. // Semicond. Sci. Technol. 1998. Vol. 13. N 9. P. 1042--1046
- Parish G., Keller S., Kozodoy P., Ibbetson J.P. et al. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 75. N 2. P. 247--249
- Monroy E., Hamilton M., Walker D., Kung P., Sanchez F.J., Razeghi M. // Appl. Phys. Lett. 1999. Vol. 74. N 8. P. 1171--1173
- Chen Q., Yang J.W., Osinsky A., Gangopadhyay S., Lim B., Anwar M.Z. et al. // Appl. Phys. Lett. 1997. Vol. 70. N 17. P. 2277--2279
- Ozbay E., Biyikli N., Kimukin I., Kartaloglu T., Tut T., Aytur O. // IEEE J. Selected Topics in Quant. Electron. 2004. Vol. 10. N 4. P. 742--751
- Аверин С.В., Кузнецов П.И., Житов В.А., Захаров Л.Ю., Якущева Г.Г., Дмитриев М.Д. // Радиотехника и электроника. 2005. Т. 50. N 3. P. 394--398
- Hochedez J.F., Alvarez J., Auret F.D., Bergonzo P. et al. // Diamond Related Materials. 2002. Vol. 11. N 3--6. P. 427--432.
- Sou I.K., Wu M.C.W., Wong K.S., Wong G.K.L. // J. of Crystal Growth. 2001. Vol. 227--228. P. 705--709
- Seo S., Lee K.K., Kang S., Huang S., Doolittle W.A., Jokerst N.M., Brown A.S., Brook M.A. // IEEE Photonics Technol. Lett. 2002. Vol. 14. N 2. P. 185--187
- Sou I.K., Wu M.C.W., Sun T., Wong K.S., Wong G.K.L. // J. of Electron. Mater. 2001. Vol. 30. N 6. P. 673--676
- Vigue F., Tournie E., Faurie J.-P. // Electron. Lett. 2000. Vol. 36. N 4. P. 352--354
- Monroy E., Vigue F., Calle F., Izpura J.I., Monuz F., Faurie J.-P. // Appl. Phys. Lett. 2000. Vol. 77. N 17. P. 2761--2763
- www.elma-m.com, производитель подложек Элма Малахит
- Sallet V., Lusson A., Rommeluere M., Gorochov O. // J. Crust. Growth. 2000. Vol. 220. N 3. P. 209--215
- Averine S.V., Chan Y.C., Lam Y.L. // Sol. Stat. Electron. 2001. Vol. 45. N 3. P. 441--446
- Averine S.V., Sachot R. // Sol. Stat. Electron. 2000. V. 44. N 9. P. 1627--1634
- Pernot C., Hirano A., Iwaya M., Detchprohm Th., Amano H., Akasaki I. // Japan J. Appl. Phys. 1999. Vol. 38. Pt. 2. N 5A. P. L487--L489
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
