Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2013, выпуск 3 » Статья стр. 84
<<<>>>
Подповерхностная локализация носителей заряда в наноструктурах Si/SiO2/SixGe1-x
Надточий А.Б.1, Коротченков О.А.1, Курилюк В.В.1
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
Email: nadt@gala.net
Поступила в редакцию: 21 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.
PDF версия
Исследованиями вольт-фарадных (F-V) характеристик обнаружена повышенная концентрация носителей заряда под поверхностью кремниевой подкладки вследствие возникновения в ней упругонапряженных областей, индуцированных наноостровками SixGe1-x, выращенных на предварительно окисленной поверхности Si. F-V-характеристики демонстрируют пики зарядовой плотности на глубине от 700 до 1000 nm для структур Si/SiO2/SixGe1-x с различной толщиной слоя SiO2. Результаты теоретических расчетов распределения электронной плотности в глубине кремниевой подкладки в целом соответствуют данным F-V-характеристик. Состояние границ раздела структуры с разной толщиной слоя окисла, влияющее на эффекты поверхностной и интерфейсной рекомбинации, рассеяния носителей заряда, исследовалось с помощью кинетики спада сигнала фотоэдс, а также ее распределения по поверхности структуры. Полученные результаты могут найти применение при разработке различных устройств на базе SiGe с включениями оксидных слоев.
  1. Thompson S.E., Armstrong M., Auth C., Cea S., Chau R., Glass G., Hoffman T., Klaus J., Zhiyong Ma Mcintyre B., Murthy A., Obradovic B., Shifren L., Sivakumar S., Tyagi S., Ghani T., Mistry K., Bohr M., El-Mansy Y. // IEEE Elect. Device Lett. 2004. Vol. 25. N 4. P. 191--193
  2. Chien C.-Y., Chang Y.-J., Chen K.-H., Lai W.-T., George T., Scherer A., Li P.-W. // Nanotechnology. 2011. Vol. 22. N 43. P. 435 602 (6 pp.)
  3. Horstmann M., Wei A., Kammler T. et al. // Electron Devices Meeting. 2005. IEDM Technical Digest. IEEE International. P. 233--236
  4. Dresselhasu M.S., Chen G., Tang M.Y., Yang R., Lee H., Wang D., Ren Z., Fleurial J., Gogna P. // Adv. Mater. 2007. Vol. 19. N 8. P. 1043--1053
  5. Lai W.T., Li P.W. // Nanotechnology. 2007. Vol. 18. N 14. P. 145 402 (7 pp.)
  6. Chien C.-Y., Chang Y.-J., Chen K.-H., Lai W.-T., George T., Scherer A., Li P.-W. // Nanotechnology. 2011. Vol. 22. N 43. P. 435 602 (6 pp.)
  7. Chen K.H., Chien C.Y., Lai W.T., Li P.W. // Nanotechnology. 2010. Vol. 21. N 5. P. 055 302 (9 pp.)
  8. Jovanovic V., Biasotto C., Nanver L.K., Moers J., Grutzmacher D., Gerharz J., Mussler G., van der Cingel J., Zhang J.J., Bauer G., Schmidt O.G., Miglio L. // IEEE Electron Dev. Lett. 2010. Vol. 31. N 10. P. 1083--1085
  9. Шкляев А.А., Ичикава М. // УФН. 2008. Т. 178. N 2. С. 139--169
  10. Kuryliuk V., Korotchenkov O., Cantarero A. // Phys. Rev. B. 2012. Vol. 85. N 7. P. 075 406 (11 pp.)
  11. Козырев Ю.Н., Картель М.Т., Рубежанская М.Ю., Скляр В.К., Дмитрук Н.В., Тайхерт К., Хофер К. // Докл. НАН Украины. 2010. N 1. С. 71--76
  12. Misrachi S., Peaker A.R., Hamilton B. // J. Phys. E: Sci. Instrum. 1980. Vol. 13. N 10. P. 1055--1061
  13. Sze S.M. Physics of Semiconductor Devices. N.Y., Wiley, 1981. 869 р
  14. Yasutake K., Cheng Z., Pang S.K., Rohatgi A. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 75. N 4. P. 2048--2054
  15. Stephens A.W., Aberle A.G., Green M.A. // J. Appl. Phys. 1994. Vol. 76. N 1. P. 363--370
  16. Podolian A., Kozachenko V., Nadtochiy A., Borovoy N., Korotchenkov O. // J. Appl. Phys. 2010. Vol. 107. N 9. P. 093 706 (7 pp.)
  17. Munakata C., Yagi K., Warabisako T., Nanba M., Matsubara S. // Jpn. J. Appl. Phys. 1982. Vol. 21. N 4. P. 624--632
  18. Podolian A., Nadtochiy A., Kuryliuk V., Korotchenkov O., Schmid J., Drapalik M., Schlosser V. // Sol. Energy Mater. Sol. Cells. 2011. Vol. 95. N 2. P. 765--772
  19. Daldosso N., Das G., Larcheri S., Mariotto G., Dalba G., Pavesi L., Irrera A., Priolo F., Iacona F., Rocca F. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. N 11. P. 113 510 (7 pp.)
  20. Hasegawa S., Sakamori S., Futatsudera M., Inokuma T., Kurata Y. // J. Appl. Phys. 2001. Vol. 89. N 5. P. 2598--2605
  21. Rochet F., Dufour G., Roulet H., Pelloie B., Perriere J., Fogarassy E., Slaoui A., Froment M. // Phys. Rev. B. 1988. Vol. 37. N 11. P. 6468--6477
  22. Rodri guez A., Ortiz M.I., Sangrador J., Rodri guez T., Avella M., Prieto A.C., Torres A., Jimenez J., Kling A., Ballestreros C. // Nanotechnology. 2007. Vol. 18. N 6. P. 065 702 (10 pp.)
  23. Zhao N.Q., Jin Y., Du X.W., Fu Y.S. // J. Appl. Phys. 2007. Vol. 101. N 2. P. 026 101 (3 pp.)
  24. Cheville R.A., Halas N.J. // Phys. Rev. B. 1992. Vol. 45. N 8. P. 4548--4550
  25. Kriza G., Mihaly G. // Phys. Rev. Lett. 1992. Vol. 56. N 23. P. 2529--2532

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme