Вышедшие номера
Подповерхностная локализация носителей заряда в наноструктурах Si/SiO2/SixGe1-x
Надточий А.Б.1, Коротченков О.А.1, Курилюк В.В.1
1Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
Email: nadt@gala.net
Поступила в редакцию: 21 марта 2012 г.
Выставление онлайн: 17 февраля 2013 г.

Исследованиями вольт-фарадных (F-V) характеристик обнаружена повышенная концентрация носителей заряда под поверхностью кремниевой подкладки вследствие возникновения в ней упругонапряженных областей, индуцированных наноостровками SixGe1-x, выращенных на предварительно окисленной поверхности Si. F-V-характеристики демонстрируют пики зарядовой плотности на глубине от 700 до 1000 nm для структур Si/SiO2/SixGe1-x с различной толщиной слоя SiO2. Результаты теоретических расчетов распределения электронной плотности в глубине кремниевой подкладки в целом соответствуют данным F-V-характеристик. Состояние границ раздела структуры с разной толщиной слоя окисла, влияющее на эффекты поверхностной и интерфейсной рекомбинации, рассеяния носителей заряда, исследовалось с помощью кинетики спада сигнала фотоэдс, а также ее распределения по поверхности структуры. Полученные результаты могут найти применение при разработке различных устройств на базе SiGe с включениями оксидных слоев.