Эффекты поверхностного прилипания неравновесных носителей в спектрах фотопроводимости кристаллов CdS
Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Новиков Б.В., Шивидов Н.К.1
1Калмыцкий государственный университет, Элиста, Россия
Поступила в редакцию: 6 августа 2012 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.
Исследована релаксация низкотемпературных (T = 77 K) спектров краевой фотопроводимости кристаллов CdS 1-й1 группы после выключения поперечного электрического поля. Обнаружен яркий эффект инверсии тонкой (экситонной) структуры спектров в процессе их релаксации к исходному (до наложения поперечного поля) виду. Показано, что наблюдаемые релаксационные изменения спектров фотопроводимости CdS обусловлены релаксацией неравновесного поверхностного заряда, возникающего за счет захвата медленными поверхностными состояниями (уровнями прилипания) части заряда, индуцированного в образец поперечным полем. Приведены экспериментальные данные по влиянию предварительной засветки собственным светом на спектры краевой фотопроводимости кристаллов CdS 1-й группы, свидетельствующие в пользу наличия в этих кристаллах поверхностных уровней прилипания с высокой плотностью.
- Гросс Е.Ф., Новиков Б.В. // ФТТ. 1959. Т. 1. Вып. 3. С. 357--362
- Киселев В.А., Новиков Б.В., Чередниченко А.Е. Экситонная спектроскопия приповерхностной области полупроводников. СПб.: СПбГУ, 2003. 244 с
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Ботов О.Э., Карасенко Н.В., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В. // ФТТ. 1998. Т. 40. Вып. 5. С. 941--943
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Жукова Н.В., Новиков Б.В., Читыров Э.И. // ФТТ. 2003. Т. 45. Вып. 11. С. 1961--1967
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Емельянцева С.Ю., Новиков Б.В. // Труды VI Междунар. конф. "Опто-, наноэлектроника, нанотехнологии и микросистемы". Ульяновск: УлГУ, 2004. С. 99
- Батырев А.С., Бисенгалиев Р.А., Емельянцева С.Ю., Новиков Б.В., Сумьянова Е.В., Читыров Э.И. // Труды VII Междунар. конф. "Опто-, наноэлектроника, нано-технологии и микросистемы". Ульяновск: УлГУ, 2005. С. 143
- Ржанов А.В. Электронные процессы на поверхности полупроводников. М.: Наука, 1971. 480 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук