Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование структуры и свойств гетероструктурных нанопленок, созданных методами эпитаксии и ионной имплантации

Умирзаков Б.Е.¹, Ташмухамедова Д.А.¹, Рузибаева М.К.¹, Ташатов А.К.¹, Донаев С.Б.¹, Мавлянов Б.Б.¹

¹Институт ионно-плазменных и лазерных технологий АН Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан Institute of Ion-Plasma and Laser Technologies, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Institute of Ion-Plasma and Laser Technologies, Uzbekistan Academy of Sciences, Tashkent, Uzbekistan

Email: mavluda_r@mail.ru

Поступила в редакцию: 23 мая 2012 г.

Выставление онлайн: 20 августа 2013 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Построена зонно-энергетическая диаграмма многослойных нанопленочных систем, созданных на основе Si, GaAs, CaF₂. Определены оптимальные режимы получения однородных пленок сложного состава.

Chang L.L., Ploog K. Molecular beam epitaxy and heterostructures. Martinus Nijhoff Publishers, 1985. 582 с
Miller R.C., Tsang W.T. // Appl. Phys. Lett. 1981. Vol. 39. P. 334
Bechstedt F., Enderlein R. Semiconductor surfaces and interfaces. Akademie-Verlag Berlin, 1988. 486 с
Milnes A.G., Feucht D.L. Heterojunctions and Metal-Semiconductor Junctions. NY: Academic Press, 1972. 463 p
Умирзаков Б.Е., Ташмухамедова Д.А., Курбанов Х.Х. // Поверхность. 2011. N 7. C. 91--95
Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A. // Surface Investigation. 2001. Vol. 16. P. 731--736
Umirzakov B.E., Tashmukhamedova D.A., Boltaev E.U., Dzhurakhalov A.A. // Mater. Sci. Engineer. B. 2003. Vol. 101. P. 124--127
Умирзаков Б.Е., Ташатов А.К., Ташмухамедова Д.А., Нормурадов М.Т. // Поверхность. 2004. N 12. C. 90--94

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель