Вышедшие номера
Годовые зависимости генерируемой мощности и электроэнергии для солнечных элементов на основе a-Si:H
Крюченко Ю.В., Саченко А.В., Бобыль А.В., Костылев В.П., Соколовский И.О., Теруков Е.И., Вербицкий В.Н., Николаев Ю.А.1,2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 30 января 2013 г.
Выставление онлайн: 20 октября 2013 г.

Для солнечных элементов (СЭ) на основе a-Si:H рассчитаны годовые зависимости мощностей и энергий, генерируемых единицей площади CЭ на широтах 45oN, 50oN, 55oN, 60oN и в конкретных географических пунктах России. Нормировка этих зависимостей позволяет получить представление о соответствующих годовых зависимостях для CЭ на основе других полупроводников. В совокупности с данными о среднем числе солнечных дней в году (или о суммарной продолжительности солнечного сияния за год) для конкретных районов России это позволяет, в частности, судить о перспективности этих районов для строительства солнечных электростанций. В результате определены регионы России, для которых превышение над усредненными величинами электроэнергии, производимой солнечными электростанциями, может доходить до 24%.