Механизм высоковакуумного низкоэнергетического травления во фторсодержащей плазме
Яфаров Р.К.1, Мевлют Ш.Т.1, Терентьев С.А.1
1Саратовский филиал Института радиотехники и электроники
Поступила в редакцию: 27 мая 1993 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1993 г.
Рассмотрены особенности действия механизмов плазменного травления в условиях пониженного давления и интенсивной низкоэнергетической ионной бомбардировки. Предложена модель травления с учетом поверхностной миграции первичных продуктов химических реакций и проведена ее экспериментальная проверка. Предсказаны и подтверждены экспериментально режимы высоковакуумного травления, предотвращающие проявление поверхностных дефектов обрабатываемого материала.
- Вигдорович В.Н., Гуляев Ю.В., Яфаров Р.К. ДАН СССР. 1988. Т. 300. N 3. С. 604--606
- Winters H.F., Coburn J.W. J. Vac. Sci. Technol. 1985. Vol. B3. N 5. P. 1376--1382
- Petit B., Pelletier J., Pomot C. Rev. de Phys. Appliquee. 1986. Vol. 21. N 6. P. 377--384
- Donnelly V.M., Flamm D.L., Dautremont-Smith W.C., Werder W.J. J. Appl.Phys. 1984. Vol. 55. N 1. P. 242--249
- Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел / Под ред. Е.С.Машковой. М.: Мир, 1989. 349 с
- Кустов В.Л., Пекарчук С.Б. Электронная техника. Сер. Электроника СВЧ. 1983. Вып. 9(357). С. 52
- Трепнел Б. Хемосорбция. М.: ИЛ, 1958. 326 с
- Адамсон А. Физическая химия поверхности. М.: Мир, 1979. 569 с
- Фундаментальные и прикладные аспекты распыления твердых тел / Под ред. Е.С.Машковой. М.: Мир, 1989. 349 с
- Плазменная технология в производстве СБИС / Под ред. Е.С.Машковой. М.: Мир, 1987. 466 с
- Яфаров Р.К., Терентьев С.А. Поверхность. 1991. N 5. С. 146
- Моррисон Дж. Физическая химия поверхности. М.: Мир, 1986. 388 с
- Гуляев Ю.В., Яфаров Р.К. Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. Вып. 24. С. 2211--2214
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук