Влияние наносекундного лазерного нагрева на фазовый состав и электрофизические характеристики тонкопленочной системы Ti--Si
Ивлев Г.Д.1, Нуприенок И.С.1, Чапланов А.М.1, Шибко А.Н.1
1Институт электроники Минск
Поступила в редакцию: 30 июня 1992 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.
Представлены результаты исследования наносекундного воздействия излучения рубинового лазера на структурное состояние тонкопленочной системы титан-кремний и изучено влияние лазерного облучения на электрофизические характеристики контакта металл-полупроводник. В исследованном интервале изменения плотности энергии облучения в системе Ti-Si возможны как твердофазное взаимодействие пленки и подложки, позволяющее получить барьер Шоттки с вольт-амперной характеристикой, близкой к идеальной, так и жидкофазные процессы, обеспечивающие формирование омического контакта.
- Ионная имплантация и лучевая технология / Под ред. Дж.С.Вильямса, Дж.Паута. Пер. с англ. Киев: Наукова думка, 1988. 360 с
- Борисенко В.Е. Твердофазные процессы в полупроводниках при импульсном нагреве. Минск: Навука i тэхнiка, 1992. 248 с
- Maydell-Ondrusz E., Hemment P.L.F., Stephens K.G. Thin Solid Films. 1986. Vol. 144. N 2. P. 289--296
- D`Anna E., Jeggieri G., Luches A. et al. Proc. Sos. Photo-Opt. Instrum. Eng. 1986. Vol. 668. P. 102--109
- Чапланов А.М., Шибко А.Н. Электронная обработка материалов. 1990. N 6. С. 19--22
- Чапланов А.М., Ивлев Г.Д., Ивашкевич А.Е. Письма в ЖТФ. 1991. N 23. С. 6--9
- Надутечко Г.П., Горбунов С.А., Анитов И.С. и др. Новые исследования титановых сплавов. М.: Наука, 1965. 308 с
- Зи С. Физика полупроводниковых приборов. Т. 2. М.: Мир, 1984. 456 с
- Курносов А.И., Юдин В.В. Технология производства полупроводниковых приборов. М.: Высшая школа, 1974. 400 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук