Вышедшие номера
Влияние наносекундного лазерного нагрева на фазовый состав и электрофизические характеристики тонкопленочной системы Ti--Si
Ивлев Г.Д.1, Нуприенок И.С.1, Чапланов А.М.1, Шибко А.Н.1
1Институт электроники Минск
Поступила в редакцию: 30 июня 1992 г.
Выставление онлайн: 19 июня 1993 г.

Представлены результаты исследования наносекундного воздействия излучения рубинового лазера на структурное состояние тонкопленочной системы титан-кремний и изучено влияние лазерного облучения на электрофизические характеристики контакта металл-полупроводник. В исследованном интервале изменения плотности энергии облучения в системе Ti-Si возможны как твердофазное взаимодействие пленки и подложки, позволяющее получить барьер Шоттки с вольт-амперной характеристикой, близкой к идеальной, так и жидкофазные процессы, обеспечивающие формирование омического контакта.