Методами электронной оже-спектроскопии, ионизационной спектроскопии и спектроскопии характеристических потерь энергии электронов изучены начальные стадии формирования системы Si/Bi₂Sr₂CaCu₂O_8+x (001) и ее устойчивость к электронному облучению и нагреву. Взаимодействие атомов Si с гранью (001) монокристалла 2212 начинается с разрыва связей Bi-O в верхнем слое подложки и окисления кремния. Атомы Bi диффундируют вглубь, а поверхность подложки обогащается Sr, участвующем в формировании промежуточного окисного слоя. При толщинах, превосходящих 5 Angstrem, появляется и растет фаза чистого Si. Обнаружена неустойчивость системы Si/2212 к электронному облучению, проявляющаяся в растворении пленки чистого кремния в подложке. Для объяснения эффекта предложен механизм электронно-стимулированной диффузии Si. Показана термическая устойчивость системы до температур 500 K. При более высоких температурах обнаружены стадии диффузии атомов Si из фазы чистого Si в подложку и разрушения промежуточного окисного слоя с образованием на поверхности новой структуры.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.