Исследованы условия, при которых возможно выращивание супертонких полупроводниковых слоев из жидкой фазы. Раскрыта еще одно важная особенность предложенного для этого ранее метода релаксационной жидкостной эпитаксии с инверсией массопереноса. Показано, что необходимым условием получения достаточно тонких слоев является нестационарный характер процесса зарождения на подложке вплоть до момента полной релаксации пересыщения в жидкой фазе и, следовательно, завершения формирования тонкой пленки. Проведено сопоставление известных экспериментальных данных и теоретических результатов авторов, демонстрирующее их хорошее соответствие.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.