Вышедшие номера
Сканирующая туннельная микроскопия фазовых переходов в адсорбированных пленках висмута: система Bi/Si (111)
Бахтизин Р.З.1, Пак,-=SUP=-1-=/SUP=- Ч.1, Хашицуме,-=SUP=-2-=/SUP=- Т.1, Сакурай-=SUP=-2-=/SUP=- Т.1
1Башкирский университет,, Уфа
Поступила в редакцию: 14 июля 1993 г.
Выставление онлайн: 20 июля 1994 г.

Методами сканирующей туннельной микроскопии (СТМ) и дифракции медленных электронов (ДМЭ) исследована реконструкция (sqrt(3)sqrt)R30o, вызванная адсорбцией висмута на атомарно-чистой поверхности Si(111) 7x 7. Впервые получены СТМ изображения системы Bi/Si (111) с атомным разрешением. В пределах симметрии (sqrt(3)sqrt), наблюдавшейся на картинах ДМЭ поверхности кремния, впервые с помощью СТМ удалось обнаружить три отчетливые фазы: монометры, тримеры и структуру типа пчелиных сот, образование которых связано с различной степенью покрытия адсорбатом. При малых покрытиях атомы Bi занимают T4-центры (по DAS-модели Такаянаги) и в этой адсорбционной геометрии alpha-фаза (монометры) стабильно формируется вплоть до покрытия 1/3 монослоя. beta-фаза (тримеры) наблюдалась при монослойном покрытии, причем на СТМ изображениях кластеров висмута удалось разрешить отдельные атомы Bi. При промежуточных покрытиях с помощью СТМ впервые была обнаружена структура типа пчелиных сот, сосуществующая вместе с тримерами. Этот результат свидетельствует о существовании дополнительного нового, зависящего от величины покрытия процесса реконструкции.