Влияние микронеоднородностей и градиента параметров полупроводников и диэлектриков на распределение электрического поля в приборах и элементах электронной техники
Волокобинский М.Ю.1
1Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. М.А.Бонч-Бруевича,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 27 мая 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
Рассматриваются различные типы неоднородностей, создаваемых в объеме и на поверхности полупроводниковых и диэлектрических структур с целью улучшения характеристик приборов и элементов электронной техники.
- Харитонов Е.В. Диэлектрические материалы с неоднородной структурой. М.: Радио и связь, 1983. 128 с
- Харитонов Е.В. Электронная техника. Сер. 6. Материалы. 1988. Вып. 3 (279). С. 6--7
- Волокобинский М.Ю. ДАН. 1991. Т. 316. С. 96--100
- Волокобинский М.Ю. ДАН. 1991. Т. 316. С. 597--600
- Волокобинский М.Ю. ДАН. 1993. Т. 331. С. 165--167
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук