Электрофизические характеристики структур Al--Al 2O 3, синтезированных методом молекулярного наслаивания
Барабан А.П.1, Булавинов В.В.1, Дрозд В.Е.1, Никифорова И.О.1, Сергиенко М.В.1
1Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1995 г.
- Алесковский В.Б. Стехиометрия и синтез твердых соединений. Л.: Наука, 1976. 218 с
- Suntola T. Material Sci. Rep. 1989. Vol. 4. P. 261--312
- Дисплеи / Под ред. Ж. Панкова. М.: Мир, 1982. 316 с
- Aarik J., Aidla A., Jack A. et al. Acta et Comm. Univ. Tartuensis, 1990. Vol. 908. P. 64--73
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Трошихин А.Г. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 18. С. 27--30
- Барабан А.П., Булавинов В.В., Коноров П.П. Электроника слоев SiO2 на кремнии. Л., 1988. 304 с
- Электронные процессы в запоминающих многослойных структурах.\commes Тр. ФИАН. Т. 184. М.: Наука, 1987. 160 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.