Вышедшие номера
Возможности управления механизмами роста ВТСП пленок молекулярно-пучковой эпитаксией
Мамутин В.В.1
1Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН,, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 14 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1995 г.

Проведен анализ различных моделей роста молекулярно-пучковой эпитаксией (МПЭ) применительно к получению ВТСП пленок. Выяснены основные критерии управления механизмами роста и определяющее влияние скоростей роста на кристаллическое совершенство пленок и показано, что не существует независимой от скоростей роста температуры эпитаксии. Подтверждено из сравнения с различными теоретическими моделями и экспериментальными данными, что при выращивании МПЭ методом соиспарения со скоростями роста в диапазоне 0.01-0.1 Angstrem/с при 400 oC в наших условиях осуществляется двумерный механизм роста (layer-by-layer) и исключен терхмерный (multilayer) механизм. Проведенный анализ и оценки позволяют управлять механизмами роста и делать выбор оптимальных условий роста МПЭ для получения кристаллически совершенных ВТСП пленок при экстремально низких температурах (400 oC и ниже).