Проявления метастабильности и структурного многообразия в пленках Bi1.8Pb0.2Sr2 Ca2Cu3O10+ x при фазовых переходах аморфное состояние--кристалл
Окунев,-=SUP=-1-=/SUP=- В.Д., Пафомов,-=SUP=-1-=/SUP=- Н.Н., Игучи,-=SUP=-2-=/SUP=- И., Свистунов-=SUP=-1-=/SUP=- В.М.
Поступила в редакцию: 22 сентября 1994 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 1995 г.
Изучено влияние температуры роста аморфных пленок BiPbSrCaCuO и их последующего старения на переход аморфное состояние-кристалл. Параметры аморфных слоев немонотонно изменяются с ростом температуры подложки Ts, а при переходе аморфное состояние-кристалл однофазные пленки с температурой сверхпроводящего перехода Tc=110 K (Tc0=108 K), соответствующие составу мишени, реализуются, если исходные пленки выращивать в интервале температур от 250 до 300 oC. Для других интервалов изменения Ts формируются двухфазные (2223 и 2212) пленки с двухступенчатым переходом (Tc1=110 K и Tc2=80 K) в сверхпроводящее состояние. В процессе старения аморфные пленки теряют индивидуальные черты и после кристаллизации становятся однофазными с Tc0=102-105 K. Установлено, что для нормального состояния пленок переход полупроводник-металл осуществляется при значении удельного сопротивления около 10-2 Ом· см.
- Yavari A.R., Le Jay P. J. Cryst. Growth. 1988. Vol. 91. P. 290--294
- Atsushi Tanaka, Takato Machi, Nobuo Kaqmehara, Koichi Niwa Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 54. N 14. P. 1362--1364
- Mei Yu., Luo H.L., Hu R. Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 56. N 6. P. 581--583
- Raffy H., Labdi S., Laborde O., Monceau P. Physica B. 1990. Vol. 165--166. P. 1423--1424
- Kazushige Ohbayashi, Kenji Yoshida, Masatoshi Anma et al. Jap. J. Appl. Phys. 1992. Vol. 31. Pt 2. N 7B. P. L953--L955
- Shah A., Patel S., Narumi E., Shaw T.S. Appl. Phys. Lett. 1993. Vol. 62. N 19. P. 2422--2424
- Wagner P., Frey U., Steinborn T. et al. European Conf. on Appl. Superconductivity EUCAS-93. Gottingen (Germany), 1993. P. 579--582
- Окунев В.Д., Самойленко З.А., Пушенко Е.И. и др. Неорган. материалы. 1994. Т. 30. N 2. С. 226--230
- Окунев В.Д., Пафомов Н.Н., Самойленко З.А., Свистунов В.М. Письма в ЖТФ. 1993. Т. 19. Вып. 5. С. 39--42
- Окунев В.Д., Пафомов Н.Н. Письма в ЖТФ. 1991. Т. 17. Вып. 9. С. 1--6
- Мотт Н., Дэвис Э. Электронные процессы в некристаллических веществах. М.: Мир, 1982. 662 с
- Окунев В.Д., Дьяченко Т.А. ФТТ. 1993. Т. 35. Вып. 11. С. 3076--3081
- Окунев В.Д., Самойленко З.А. Письма в ЖЭТФ. 1986. Т. 43. Вып. 1. С. 24--27
- Окунев В.Д., Самойленко З.А. Письма в ЖТФ. 1988. Т. 14. Вып. 17. С. 1621--1625
- Окунев В.Д., Пафомов Н.Н., Самойленко З.А. ФТТ. 1988. Т. 30. Вып. 5. С. 1344--1352
- Окунев В.Д., Самойленко З.А. ФТТ. 1989. Т. 31. Вып. 9. С. 257--259
- Окунев В.Д., Самойленко З.А. Письма в ЖЭТФ. 1991. Т. 53. Вып. 1. С. 42--45
- Окунев В.Д., Самойленко З.А. Письма в ЖТФ. 1994. Т. 20. Вып. 9. С. 1--6
- Yasuhiro Iye. Techn. Rep. of ISSP. Ser. A. N 2488. Tokyo, 1991. P. 1--73
- Коут П., Майзел Л. Металлические стекла. М.: Мир, 1983. С. 207--244
- Аморфные полупроводники / Под ред. М.Бродски. М.: Мир, 1982. 419 с
- Борисова З.У. Халькогенидные полупроводниковые стекла. Л. 1983. 344 с
- Фельц А. Аморфные и стеклообразные неорганические твердые тела. М.: Мир, 1986. 558 с
- Окунев В.Д., Самойленко З.А. ФТТ. 1991. Т. 33. Вып. 10. С. 2811--2815
- Окунев В.Д., Самойленко З.А. Неорган. материалы. 1992. Т. 28. N 4. С. 847--852
- Wright Adrian C., Connell G.A.N., Allen J.W. J. Non-Cryst. Solids. 1980. Vol. 42. N 1--3. P. 69--86
- Obata S., Shinohara S. J. Phys. 1980. Vol. C13. N 7. P. 1257--1265
- Mercier D., Levy Jean-Claude S. Phys. Rev. 1983. Vol. B27. N 2. P. 1292--1302
- Маслюк В.Т., Дойников Л.И. УФЖ. 1984. Т. 29. N 11. С. 1673--1679
- Бальмаков М.Д. Вестн. ЛГУ. 1985. N 18. С. 105--107
- Klinger M.I. Sol. St. Commun. 1989. Vol. 70. N 10. P. 939--942
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
