Поляризационная спектроскопия возбуждения люминесценции как метод контроля упругих напряжений в эпитаксиальных слоях GaAs
Буянова И.А.1, Остапенко С.С.1, Савчук А.У.1
1Институт физики полупроводников АН Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 17 июня 1994 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 1995 г.
Предложен оптический метод контроля величины и распределения напряжений в переходных слоях эпитаксиальная пленка-подложка, основанный на измерении зависимости степени спонтанной поляризации ФЛ глубоких центров, расположенных в ЭП, от энергии квантов возбуждающего света. Возможности предложенного метода продемонстрированы на примере гомоэпитаксиальных структур GaAs с различными толщинами эпитаксиального слоя, а также типом и концентрацией легирующей примеси.
- Инденбом В.Л., Никитенко В.И. Напряжения и дислокации в полупроводниках. М.: Изд-во АН СССР, 1962. 68 с
- Берт Н.А., Гореленок А.Т., Дзигасов А.Г. ФТТ. 1982. Т. 16. Вып. 1. С. 60--67
- Rich D., Ksendzov A., Terhune R.W. et al. Phys. Rev. (B). 1991. Vol. 43. N 8. P. 6836--6839
- Maruyama T., Garvin E.L. Phys. Rev. Lett. 1991. Vol. 66. N 18. P. 2376--2379
- Komins T.J., Meesau E.S. J. Appl. Phys. 1973. Vol. 34. P. 5064--5071
- Оборина Е.И., Пороховниченко Л.П. А.с. N 1072680
- Buyanova I.A., Ostapenko S.S. Phys. Stat. Sol. (a). 1987. Vol. 103. N 2. P. K161--K164
- Буянова И.А., Остапенко С.С., Шейнкман М.К. ФТТ. 1985. Т. 27. Вып. 3. С. 748--756
- Оборина Е.И., Пороховниченко Л.П. Изв. АН СССР. Неорган. матер. Т. 22. N 1. С. 5--8
- Аверкиев Т.К., Гудкин А.А. ФТП. 1983. Т. 17. Вып. 3. С. 418--421
- Barau J., Voilott F. J. Phys. C. 1981. Vol. 14. N 2. P. 3447--3462
- Mirlin D.N., Sapega V.F., Karlik I.Ya., Katilius R. Sol. St. Comm. 1987. Vol. 61. P. 799--802
- Wolford D.J., Bradly J.A. Sol. St. Commun. 1985. Vol. 53. P. 1069--1076
- Мильвидский М.Г., Освенский В.Б. Структурные дефекты в эпитаксиальных слоях полупроводников. М.: Металлургия, 1985. 195 с
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук