Методами полевой электронной и ионной микроскопии исследовалось влияние сильного электрического поля на процессы, протекающие в бинарных системах адсорбат-адсорбент: Si-W, Be-W, Ni-W и Si-Ir. В случае Si-W, Be-W, Si-Ir зарегистрировано влияние поля порядка 10⁷ В/см (при нагреве, достаточном для активной поверхностной диффузии адсорбата) на реконструкцию поверхности подложки, начальные стадии кристаллического роста и (особенно в случае Si-Ir) химическую реакцию в твердой фазе. Наиболее подробно изучена система Si-W, где по величине испаряющего поля определено участие Si в растущих кристаллических образованиях, а по ионным изображениям с атомным разрешением выявлена структура этих образований, типичная для чистого вольфрама. Основное отличие процессов, протекающих в присутствии поля, от случая, когда поле отсутствует, состоит в том, что атомы подложки - тугоплавкого металла активно участвуют в процессе объемного кристаллического роста. При этом для Si-W и Be-W показано, что реконструируются плоские сетки и грани типа 110 наиболее плотноупакованные и обычно наиболее устойчивые, а в случае системы Si-Ir реконструируются относительно рыхлые грани типа 113. Тем самым на разнообразных системах выявлено существенное влияние внешнего электрического поля на межатомные связи в приповерхностных областях.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.