Показано, что при расчете погонной емкости планарный конденсатор, образованный на поверхности тонкого сегнетоэлектрического слоя, можно приближенно заменить совокупностью элементарных плоских конденсаторов, емкость каждого из которых можно рассчитать с учетом размерного эффекта. Получены выражения для погонной емкости и эффективной диэлектрической проницаемости сегнетоэлектрического материала планарного конденсатора, зависящих от размеров конденсатора и приложенного поля смещения. Показано, что для более полного использования диэлектрической нелинейности сегнетоэлектрического материала необходимо выбирать ширину зазора между электродами планарного конденсатора не менее 30 мкм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.