Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2025
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Осаждение слоев SiO2 из газовых струй при активации реагентов электронным пучком
Шарафутдинов Р.Г.1, Бирюков С.А.2, Ефимов В.М.2
1Институт теплофизики им. С.С. Кутателадзе СО РАН, Новосибирск, Россия 
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 10 января 1995 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1996 г.
Описаны метод получения и свойства слоев SiO2, осажденных из газовых струй, активируемых электронным пучком. Исследованы зависимости оптических, химических и электрофизических свойств полученных пленок от одного из параметров - расстояния от источника активируемого газа до подложки. Установлены корреляции между пористотью пленок и их электрофизическими свойствами.
- Halpern B.L., Schmitt J.J., Golz J.W. et al. Appl. Surf. Sci. 1991. Vol. 48/49. P. 19
- Janes J., Lutz N. Rev. Sci. Instr. 1991. Vol. 62 (10). P. 2356
- Meeusen G.J., Ershov-Pavlov E.A., Meulenbroeks R.F.G. et al. 10^th Intern. Symp. on Plasma Chem. (ISPC-10). Bochum, 1991. P. 1. 2--7
- Wilbers A.T.M., Meeusen G.J., Haverlag M. et al. Thin Solid Films. 1991. Vol. 204. P. 59
- Kessler F., Mohring H.-D., Bauer G.H. J. Non-Cryst. Solids. 1991. Vol. 137\&138. P. 745
- Beulens J.J., Kroesen G.M.W., Schram D.C. et al. J. Appl. Polym. Sci. 1990. Vol. 46. P. 527
- Eres D., Lowndes D.H., Tischler J.Z. Appl. Phys. Lett. 1989. Vol. 55 (10) P. 1008
- Nakano M., Sakaue H., Kawamoto H. et al. Appl. Phys. Lett. 1990. Vol. 57 (11). P. 1096
- Horiike Y., Tanaka T., Nakano M. et al. J. Vac. Sci. Technol. 1990. Vol. A 8 (3). P. 1844
- Sharafutdinov R.G., Sukhinin G.I., Veschikov S.I., Biryukov S.A. 10^th Intern. Symp. Plasma Chem. (ISPC-10). Bochum. 1991. Vol. 2. P. 4--22
- Ngueyen S.V. J. Vac. Sci. Technol. 1986. Vol. B4. P. 1159
- Baklanov M.R., Vasilyeva L.L., Gavrilova T.A. et al. Thin Solid Films. 1989. Vol. 171. P. 43
- Chau T., Mejia S.R., Kao K.C. Can. J. Phys. 1991. Vol. 69. P. 165
- Kulich W., Kassing R. J. Vac. Sci. Technol. 1987. Vol. B. P. 523
- Boyer P.K., Roche G.A., Ritohic W.H., Collins G.J. Appl. Phys. Lett. 1982. Vol. 40. P. 716
- Alonso J.C., Ortiz A., Falcony C. Vacuum. 1992. Vol. 43. N 8. P. 843
- Belousov I.I., Efimov V.M., Sinitsa S.P. et al. Phys. Stat. Sol. (a). 1991. Vol. 125. P. 387
- Fowler R.H., Nordgeim L. Proc. Roy. Sos. 1928. Vol. 119. P. 173
- Taft E.A. J. Electrochem. Soc. 1979. Vol. 126. P. 1729
- Lucovsky G., Tsu D.V. J. Vac. Sci. Technol. 1987. Vol. A5 (4). P. 2231
- Smith R.W., Rose A. Phys. Rev. 1955. Vol. 97. P. 1531
- Zor. M., Hogarth C.A. Phys. Stat. Sol. (a). 1987. Vol. 99. P. 513
- Murtgatroyd P.N. J. Phys. 1970. Vol. D 13. P. 151
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
