Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 1996, выпуск 10 » Статья стр. 145
<<<>>>
Насыщение положительного заряда в окисле МОП структур при облучении при криогенных температурах
Болотов В.В.1, Вишняков А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.
PDF версия
Представлены результаты по численному моделированию процесса генерации заряда при облучении в подзатворном окисле МОП структуры при 80 K. Подробно рассмотрен случай больших поглощенных доз, когда зависимость ухода напряжения плоских зон от дозы выходит на насыщение. Показано, что с ростом дозы захваченный заряд локализуется в пределах узкого слоя, положение которого зависит от приложенного смещения. Величина ухода напряжения плоских зон в насыщении определяется одним из двух механизмов удаления дырок из окисла - рекомбинацией захваченных в окисле дырок с туннелирующими электронами при смещениях на затворе меньше 3-5 В или дырочным транспортом по ловушкам при смещениях больше 3-5 В.
  1. Boesch H.E., McGarrity J.M. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1976. Vol. 23(6). P. 1520--1525
  2. Klein R.B., Saks N.S., Shanfield Z. IEEE Trans on Nucl. Sci. 1990. Vol. 37(6). P. 1690--1695
  3. Митчел Дж., Уилсон Д. Поверхностные эффекты в полупроводниковых приборах, вызванные радиацией. М.: Атомиздат, 1980. 93 с
  4. Hugnes R.C. Appl. Phys. Lett. 1975. Vol. 26. P. 436--438
  5. Ausman A., McLean F.B. Appl. Phys. Lett. 1975. Vol. 26. P. 173--175
  6. McLean F.B. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1988. Vol. 35(6). P. 1178--1185
  7. Othmer S., Srour J.R. Proc. of the Intern. Conf. on the Phys. of MOS Insulators. Raleigh: Pergamon Press, 1980. P. 49--53
  8. Ning T.N. J. Appl. Phys. 1976. Vol. 47(7). P. 3203--3208
  9. Boesch H.E., McLean F.B., Benedetto J.M., McGarrity J.M. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1986. Vol. 33(6). P. 1191--1196
  10. Boesch H.E., McLean F.B., McGarrity J.M., Winokur P.S. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1978. Vol. 25(6). P. 1239--1245
  11. Boesch H.E., McLean F.B. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1985. Vol. 32(6). P. 3940--3945
  12. McLean F.B., Boesch H.E., McGarrity J.M. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1976. Vol. 23(6). P. 1506--1512
  13. Benedetto J.M., Boesch H.E., McLean F.B., Mize J.P. IEEE Trans. on Nucl. Sci. 1985. Vol. 32(6). P. 3916--3920
  14. Oldham T.R., Lelis A.J., McLean F.B. IEEE Trans. on Nucl Sci. 1986. Vol. 33(6). P. 1203--1209
  15. Shirley C.G. J. Electroch. Soc. 1985. Vol. 132(2). P. 488--499
  16. Weinberg Z.A., Fischetti M.V. J. Appl. Phys. 1985. Vol. 57(2). P. 443--452
  17. DiMaria D.J., Fischetti M.V. Proc. Symp. on the Phys. and Chem. of SiO_2 and the Si/SiO_2 Interf. New York: Plenum Press, 1988. P. 509--513

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme