Вышедшие номера
Насыщение положительного заряда в окисле МОП структур при облучении при криогенных температурах
Болотов В.В.1, Вишняков А.В.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 19 мая 1995 г.
Выставление онлайн: 19 сентября 1996 г.

Представлены результаты по численному моделированию процесса генерации заряда при облучении в подзатворном окисле МОП структуры при 80 K. Подробно рассмотрен случай больших поглощенных доз, когда зависимость ухода напряжения плоских зон от дозы выходит на насыщение. Показано, что с ростом дозы захваченный заряд локализуется в пределах узкого слоя, положение которого зависит от приложенного смещения. Величина ухода напряжения плоских зон в насыщении определяется одним из двух механизмов удаления дырок из окисла - рекомбинацией захваченных в окисле дырок с туннелирующими электронами при смещениях на затворе меньше 3-5 В или дырочным транспортом по ловушкам при смещениях больше 3-5 В.