Рассмотрено математическое моделирование процессов выращивания структур GaAs-Al_xGa_1-xAs с использованием металлоорганических соединений в диффузионном режиме. Рассмотрены как прямая, так и обратная задачи, т. е. определение временных зависимостей концентраций реагентов на входе в реактор, обеспечивающих получение структур с заданным изменением состава в переходных областях. Приведены примеры расчетов выращивания слоев с линейным и параболическим профилями состава.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.