Методом in situ спектроскопии в области 220-360 нм определены концентрации компонент в зоне источника для системы GaAs-AsCl₃-HCl-H₂-He при изменении температуры источника от 20 до 900^oС для чисел Рейнольдса 0.1-1.5. Установлен неравновесный характер протекания гомогенных и гетерогенных реакций в зоне источника в низкотемпературных режимах (T=<sssim 800^oС). Впервые получен спектр поглощения AsCl₃. Выполнен двумерный расчет массопереноса компонент газовой смеси в зоне источника и путем сопоставления полученных в расчете концентраций компонент на выходе из зоны источника с экспериментальными значениями определены константы скоростей реакций.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.