Разработано кристаллизационное устройство для получения слоев и кристаллов соединений A₃B₅, пригодное к использованию как в наземных условиях, так и в условиях микроускорений. Методом ЭЖЭ в неземных условиях получены в атмосфере водорода и в атмосфере аргона слои GaAs толщиной до 2 мм. Продемонстрирована возможность получения слоев GaAs методом ЭЖЭ одновременно на нескольких подложках в течение одного технологического процесса. Исследованы возможности кристаллизации слоев GaAs в вакууме. Анализируются параметры полученных слоев.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.