В полупроводниках-пьезоэлектриках со структурой сфалерита (типа A^IIIB ^V) в пластинках специальных срезов при анизотропном ограничении термических деформаций возникает термопьезоэлектричество - эффект, аналогичный пироэлектрическому с коэффициентом для GaAs gamma₁₁₁=1.5 мкКл/м²· K и вольтовой чувствительностью ~0.02 В·м²/Дж (как в пироэлектрической керамике). Пластинка арсенида галлия толщиной 100 мкм при изменении температуры на 1 K изменяет электрический потенциал на ~2 В, что могло бы представить интерес для интегральных многоэлементных планарных тепловых детекторов инфракрасного излучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.