Исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ) двойные гетероструктуры InGaAsP/InGaP с тонкими (<10 нм) слоями четверного твердого раствора, полученными осаждением на движущуюся подложку в условиях преднамеренного ограничения конвективных течений, инициируемых в растворе-расплаве. Электронно-микроскопические исследования проводились методами темного поля (ТП) в рефлексе 002 и высокого разрешения (ВР). Рассмотрены вопросы возникновения контраста на ТП микроизображениях и показано, что денситометрироваиие негативов таких изображений позволяет получать детальные сведения о толщинах ультратонких слоев, ширине переходных областей между отдельными слоями. Результаты исследований показали, что преднамеренное подавление конвективных потоков, инициируемых в расплаве перемещением подложки, позволяет выращивать на подложках GaAs (111) слои In_xGa_1-xAs_yP_1-y толщиной до 3 нм. При этом структуры обладали хорошим кристаллическим совершенством и планарностью, а протяженность переходных областей на границах раздела In_xGa_1-xAs_yP_1-y/In_0.5Ga_0.5P и In_0.5Ga_0.5P/GaAs не превышала 1 нм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.