Исследовалось воздействие импульсного излучения ArF эксимерного лазера (lambda=193 нм, tau=20 пс) на пленки халькогенидных стеклообразных полупроводников As₂S₃ и AsSe. При увеличении потока излучения до 100 мДж/см² последовательно наблюдаются эффекты фотопотемнения, фотоабляции и фототермоабляции облученного материала. Интенсивность фотопотемнения резко возрастает при продвижении lambda₀ к ВУФ диапазону и носит нелинейный характер: закон взаимозаместимости нарушается. Кроме того, фотопотемнение сопровождается изменением химической растворимости облученных участков материала. Начиная с 20-25 мДж/см² происходит фотоабляция. Зависимость скорости аблятивного процесса от энергии в импульсе E _и имеет два участка: в первом происходит непосредственное фототравление, во втором (E _и>50 мДж/см²) превалирует фототермоабляция.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.