Вышедшие номера
Home » Журнал технической физики » Год 2014, выпуск 2 » Статья стр. 44
<<<>>>
Нелинейные диэлектрические свойства планарных структур на основе сегнетоэлектрических пленок бетаинфосфита
Балашова Е.В.1, Кричевцов Б.Б.1, Свинарев Ф.Б.1, Юрко Е.И.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: balashova@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 28 марта 2013 г.
Выставление онлайн: 20 января 2014 г.
PDF версия
Методом испарения при комнатной температуре на подложках из NdGaO3(001) со встречно-штыревой системой электродов на поверхности выращены сегнетоэлектрические пленки частично дейтерированного бетаинфосфита, обладающие высокими значениями емкости в области сегнетоэлектрического фазового перехода. Диэлектрическая нелинейность полученных структур исследована в режимах слабосигнального и сильносигнального отклика, а также в переходной между этими режимами области по измерениям емкости в смещающем постоянном поле, измерениям петель диэлектрического гистерезиса и фурье-спектров выходного сигнала в схеме Сойера-Тауэра. В области фазового перехода коэффициент управления емкостью при смещающем напряжении Ubias = 40 V составляет k =~ 7. Диэлектрическая нелинейность структур в парафазе описывается моделью Ландау фазового перехода 2-го рода. В сегнетофазе дополнительный вклад в нелинейность связан с движением доменных границ и проявляется при превышении амплитуды входного сигнала значения Ust ~ 0.7-1.0 V. Из анализа частотных зависимостей диэлектрического гистерезиса определены времена релаксации доменных границ.
  1. Dawber M., Rabe K.M., Scott J.F. // Rev. Mod. Phys. 2005. V. 77. P. 1083
  2. Ducharme S., Palto S.P., Fridkin V.M. Ferroelectric and Dielectric Thin Films // Ed. by H.S. Nalwa. San Diego: Academic, 2000. P. 545
  3. Буслов О.Ю., Кейс В.Н., Козырев А.Б., Котельников И.В., Кулик П.В. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 9. С. 89-94
  4. Самойлова Т.Б., Козырев А.Б., Тумаркин А.В., Николаенко А.М., Гагарин А.Г. // ЖТФ. 2005. Т. 75. Вып. 10. С. 85-93
  5. Тумаркин А.В., Тепина Е.Р., Ненашева Е.А., Картенко Н.Ф., Козырев А.Б. // ЖТФ. 2012. Т. 82. Вып. 6. С. 53-57
  6. Вендик О.Г., Зубко С.П., Никольский М.А. // ЖТФ. 1999. Т. 69. Вып. 4. С. 1-7
  7. Вольпяс В.А., Козырев А.Б., Солдатенков О.И., Тепина Е.Р. // ЖТФ. 2012. Т. 82. Вып. 6. С. 58-62
  8. Zhu H., Pruvost S., Cottinet P.J., Guyomar D. // Appl. Phys. Lett. 2011. Vol. 98. P. 222 901
  9. Childress J.D. // J. Appl. Phys. 1962. Vol. 33. N 5. P. 1793-1798
  10. Kar-Narayan S., Crossley S., Moua X., Kovasova V., Abergel J., Bontempi A., Baier N., Defay E., Mathur N.D. // Appl. Phys. Lett. 2013. Vol. 102. P. 032 903
  11. Balashova E.V., Krichevtsov B.B., Lemanov V.V. // J. Appl. Phys. 2008. Vol. 104. P. 126 104
  12. Балашова Е.В., Кричевцов Б.Б., Леманов В.В. // ФТТ. 2009. Т. 51. С. 525
  13. Balashova E.V., Krichevtsov B.B., Lemanov V.V. // Inegr. Ferroelctrics, 2009. Vol. 106. P. 29
  14. Балашова Е.В., Кричевцов Б.Б., Зайцева Н.В., Панкова Г.А., Фредерикс И.Д., Леманов В.В. // Кристаллография. 2011. Т. 56. N 1. С. 42
  15. Balashova E.V., Krichevtsov B.B. (2011). Ferroelectrics- Material Aspects / Ed. by M. Lallart. InTech, 2011. 518 p
  16. Балашова Е.В., Кричевцов Б.Б., Леманов В.В. // ФТТ. 2011. Т. 53. С. 1150
  17. Balashova E.V., Krichevtsov B.B., Pankova G.A., Lemanov V.V. // Ferroelectrics. 2012. Vol. 433. P. 138-145
  18. Балашова Е.В., Кричевцов Б.Б., Свинарев Ф.Б., Леманов В.В. // ФТТ. 2013. Т. 55. Вып. 5. С. 916-922
  19. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. 4-е изд., М.: Наука, 1995. C. 656
  20. Сегнетоэлектрики в технике СВЧ / Под ред. О.Г. Вендика. М.: Сов. Радио, 1979. C. 272
  21. Sobiestianskas R., Grigas J., Czapla Z., Dasko S. Phys. Stat. Solid: A. 1993. Vol. 136. P. 223
  22. Banys J., Sobiestianskas R., Klimm S., Volkel G. // Lithuan. J. Phys. 1997. Vol. 37. P. 505

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme