Рассмотрены возможности активного формирования электронных свойств поверхности полупроводниковых кристаллов за счет изменения условий их поверхностной обработки. Исследованиями поперечного электронного транспорта в гетероструктурах на основе кристаллов кремния (100) и туннельно-тонкой пленки аморфного гидрогенезированного карбида кремния показано, что вид вольт-амперных характеристик таких структур определяется различной плотностью ненасыщенных поверхностных связей, которые образуются при получении атомно-чистой поверхности кремниевых кристаллов заданной ориентации с использованием высокоионизованной СВЧ плазменной микрообработки в различных плазмообразующих средах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.