Структуры W(150 nm)/HfO₂(5 nm)/Si (100), изготовленные в одном вакуумном цикле методом высокочастотного магнетронного распыления, подверглись быстрому термическому отжигу в аргоне. Установлено, что при температуре отжига 950^oC на границе раздела W/HfO₂ наблюдается рост оксидной фазы WO_x, а на границе раздела HfO₂/Si (100) образуется силикатная фаза HfSi_xO_y. При этом общая толщина оксидного слоя превысила на 30% толщину исходной пленки HfO₂, а также наблюдалось снижение удельной емкости в области аккумуляции C_max и диэлектрической проницаемости (от 27 до 23). При температуре отжига 980^oC происходило активное взаимодействие вольфрама с HfO₂, в результате чего наблюдалось образование неоднородного по составу оксидного слоя Hf_xSi_yW_zO и дальнейшее снижение C_max. Показано, что в структурах W/HfO₂/X/Si (100), где X - нитридный барьерный слой, происходит заметное снижение токов утечки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.