Развивается комплексная модель плазмостимулированного осаждения полупроводниковых слоев из МОС, предложенной в [1], что позволяет проследить связь между исходными технологическими параметрами и некоторыми свойствами слоев как бинарного, так и тройного соединения. По сравнению с [1] учтены конкретный вид стабильного зародыша на поверхности и важная роль химической десорбции при невысоких температурах роста. В результате на основе довольно простой модели поверхностных процессов удалось объяснить ряд экспериментальных закономерностей. Тот факт, что температурная зависимость скорости роста и состава слоев Cd_xHg_1-xTe промоделирована без введения дополнительных предположений и с использованием кинетических коэффициентов, подобранных при моделировании соответствующих зависимостей для CdTe и HgTe, существенно повышает доверие к предложенной здесь теории. Модель позволяет проследить появление неслучайности в заполнении катионной подрешетки атомами Cd и Hg (кинетический ближний порядок типа кластерообразования или упорядочения) как следствия определенных поверхностно-кинетических свойств адатомов и указывает пути к уменьшению этого эффекта.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.