Проведена полная интерпретация электронно-дифракционных картин от монокристаллов кремния (001)-ориентации, облученных ионами Аr⁺ с энергией 150 кэВ и плотностью тока ионного пучка ~100 мкА/см². Установлено, что в процессе рекристаллизации аморфизованных слоев как при высокоинтенсивном ионном облучении, так и в случае термического отжига при температуре 1073 K образцов, предварительно облученных ионами Аr⁺ дозой 2· 10¹⁵ см^-2, создаются сходные условия для формирования вторичных нарушений. После окончания процесса твердофазной эпитаксии электронно-дифракционные картины различны. В частности, на электронограммах в случае высокоинтенсивного ионного облучения не наблюдаются первичные двойники типа 1/3 511 и 1/3 822, но появляются 0002-рефлексы, гексагональной модификации кремния.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.