Экспериментально исследуются особенности формирования и поведения динамических двойных слоев (ДС) в сильноточных (I_p~1/20 кА) протяженных (l~100 см) плазменных (n~10¹²/5·10¹³ см^-3) диодах при низком давлении газа (p~10^-5/10^-3 Тор) в однородном магнитном поле. Установлено существование двух типов ДС: K- и M-слоя, поддерживаемых различными физическими процессами. Показано, что в условиях, когда плазма не заполняет все сечение диода, ДС помимо тока формирования I_k характеризуется еще дополнительными токовыми параметрами I_1-4. Выявлены физическое различие между K- и M-слоями и причины появления дополнительных токовых параметров. Показано, что пространственной локализацией и параметрами ДС (током, падением потенциала и длительностью существования) можно управлять.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.