В двухмодовом приближении показано, что в оптически бистабильном полупроводниковом резонаторе возможны высокочастотные (omega~10⁹/10¹⁰ с^-1) автоколебания концентрации свободных носителей заряда и оптических характеристик. Автоколебания возникают вследствие взаимодействия конкурирующих мод: моды, возбуждаемой внешней волной, и лазерной моды, генерируемой в полупроводнике, по отношению к которой первая мода играет роль оптической накачки. Учет амбиполярной диффузии частиц поперек направления распространения внешней волны приводит к возможности существования в системе бегущих концентрационно-оптических импульсов нейристорного типа. Аналогичные импульсы возможны в инжекционных лазерах с дополнительными зеркалами вдоль инжектирующего электрода.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.