Исходя из дифференциального уравнения диффузии электронов во внешнем магнитное поле, определены концентрация и специфика пространственного распределения электронов в диэлектрическом цилиндре-реакторе установки СВЧ вакуумно-плазменного травления. Исследованы стационарные режимы горения плазмы, его устойчивости. На основании формулы для концентрации электронов приведены решения некоторых практических задач в обеспечении оптимизации технологического процесса СВЧ вакуумно-плазменного травления микроструктур. Представлено физическое описание процессов, имеющих актуальное техническое применение в разработке и создании современного оборудования микроэлектроники.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.