Теоретически и экспериментально исследован метод смены растворов над подложкой арсенида галлия путем выталкивания раствора Ga-As жидкой фазой Аl-Ga-As в процессе жидкофазной эпитаксии гетероструктуры GaAlAs/GaAs. Показано, что одним из основных факторов, влияющих на начальные стадии роста пленки AlGaAs, является опережающая диффузия алюминия в оставшийся после смены растворов тонкий слой жидкой фазы Ga-As (по сравнению с уходом из этого слоя избыточного мышьяка) вследствие соотношения D_Al>D_As (D - коэффициент диффузии элемента в жидкой фазе Аl-Ga-As). В результате в слое остаточного раствора Ga-As возникает существенное пересыщение, определяющее кинетику образования переходных слоев в гетероструктуре AlGaAs/GaAs. При интенсивной смене растворов переходные слои в этой гетероструктуре были получены такой же величины, как и при обычной технологии жидкофазной эпитаксии, - менее 20 нм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.