Теоретически и экспериментально показано, что при смене раствора Аl-Ga-As на Ga-As путем выталкивания их друг другом предварительно выращенная пленка AlGaAs частично растворяется даже в том случае, если промывающий раствор пересыщен. Путем специального подбора режимов промывки были выращены гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переходным слоем по алюминию около 25 нм.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.