Вышедшие номера
Распыление полупроводниковых мишеней AlxGa1-xAs Ar+ ионами с энергией 2--14 кэВ
Берт Н.А.1, Сошников И.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 марта 1996 г.
Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

Проведены исследования распыления полупроводниковых твердых растворов AlxGa1-xAs Ar+ ионами с энергией 2-14 кэВ, в результате которых определены зависимости выхода распыления от энергии и угла падения ионов, а также характер поверхностного рельефа, образующегося при распылении. Проведенное сопоставление с теорией показало, что наилучшее согласие теории и эксперимента достигается при использовании формулы Хаффа-Свитковски в сочетании с сечением торможения Юдина. Показано, что полученные значения поверхностной энергии связи отличаются от энергий атомизации на величину, примерно равную энергии аморфизации.