Журнал технической физики

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2025
- 1 2 3 4
2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Распыление полупроводниковых мишеней Al_xGa_1-xAs Ar⁺ ионами с энергией 2--14 кэВ

Берт Н.А.¹, Сошников И.П.¹

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

Поступила в редакцию: 7 марта 1996 г.

Выставление онлайн: 20 мая 1997 г.

PDF версия

Проведены исследования распыления полупроводниковых твердых растворов Al_xGa_1-xAs Ar⁺ ионами с энергией 2-14 кэВ, в результате которых определены зависимости выхода распыления от энергии и угла падения ионов, а также характер поверхностного рельефа, образующегося при распылении. Проведенное сопоставление с теорией показало, что наилучшее согласие теории и эксперимента достигается при использовании формулы Хаффа-Свитковски в сочетании с сечением торможения Юдина. Показано, что полученные значения поверхностной энергии связи отличаются от энергий атомизации на величину, примерно равную энергии аморфизации.

Берт Н.А., Погребицкий К.Ю., Сошников И.П., Юрьев Ю.Н. // ЖТФ. 1992. Т. 62. Вып. 4. С. 162--170. Sov. Phys. Tech. Phys. 1992. Vol. 37(4). P. 449--454
Берт Н.А., Сошников И.П. // ФТТ. 1993. Т. 35. Вып. 9. С. 2501--2508
Farren J., Scaife W.J. // Talanta. 1968. Vol. 15. N 11. P. 1217--1226
Bhattacharya S.R., Ghose D., Basu D. // Indian J. Pure and Appl. Phys. 1987. Vol. 25. N 9. P. 328--330
Bhattacharya S.R., Ghose D., Basu D. // Nucl. Instr. Meth. in Phys. Res. 1990. Vol. B47. P. 253--256
Chen W.-X., Walpita L.M., Sun C.C., Chang W.S.C. // J. Vac. Sci. Technol. 1986. Vol. B4. N 3. P. 701--705
Linders J., Niedrig H., Sebald T. et al. // Nucl. Instr. and Meth. B. 1986. Vol. 13. N 1--3. P. 374--376
Wada O. // J. Phys. D. 1984. Vol. 17. P. 2429
Tubo H., Namba S., Yuba Y. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1983. Vol. 22. N 7. P. 1206--1210
Singer I.L., Murday J.S., Cooper L.R. // Surf. Sci. 1981. Vol. 108. N 1. P. 7--24
Valeri S., di Bona A., Nava E. // Vuoto: Sci. e. Technol. Vol. XX. N 1. 1990. P. 77--79
Holloway P.H. // Appl. Surf. Sci. 1986. Vol. 26. N 4. P. 550--560
Kang H.J., Kang T.W., Lee J.J. et al. // J. Vac. Sci. Technol. 1989. Vol. A7(6). P. 3251--3255
Downey S.W., Emerson A.B., Kopf R.F. // Nucl. Instr. Meth. in Phys. Res. 1992. B. Vol. 62. P. 456--462
Kinoshita H., Isida T., Kaminishi K. // Appl. Phys. Lett. 1986. Vol. 49. N 4. P. 204--206
Arthur J.R., LePore J.J. // J. Vac. Sci. Technol. 1977. Vol. 14. P. 979--984
Барченко В.Т., Соколовский А. // Известия ЛЭТИ. 1982. Вып. 303. С. 42--47
Carter G., Nobes M.J. // Proc. Roy. Soc. London. A. 1986. Vol. 407. N 1833. P. 405--433
Беграмбеков Л.Б. // Итоги науки и техники. Сер. Пучки заряженных частиц и твердое тело. М.: ВИНИТИ РАН, 1993. Вып. 7. С. 4--53
Ланг Д. // Точечные дефекты в твердых телах. М.: Мир, 1978
Sigmund P. // Phys. Rev. 1969. Vol. 184. N 2. P. 384--416
Sigmund P., Lam N.Q. // Mat.-Fys. Medd. K. Dan. Vid. Selsk. 1993. Vol. 43. P. 255
Yamamura Y. // Rad. Eff. 1984. Vol. 80. N 1--2. P. 57--72
Haff P.K., Switkowski Z.E. // Appl. Phys. Lett. 1976. Vol. 29. P. 549--551
Patterson W.L., Shirn G.A. // J. Vac. Sci. Technol. 1967. Vol. 4. P. 343--355
Konaya K., Hujou K., Koga K. et al. // Jap. J. Appl. Phys. 1973. Vol. 12. N 9. P. 1297--1306
Lindhard J., Nielsen V., Scharfi M. // Klg. Danske Videnskab. Selskab. Mat.-Fys. Medd. 1968. Vol. 36. N 10
Biersack J.P. // Nucl. Instr. Meth. in Phys. Rev. B. 1987. Vol. 27. P. 21--36
Юдин В.В. // Электронная техника. Сер. Полупроводниковые приборы. 1984. Вып. 6(172). C. 3--16
Matsunami N., Yamamura Y., Itoh N. et al. // Rad. Eff. Lett. 1982. Vol. 68. N 3. P. 83--87
Термодинамические константы веществ / Под ред. В.П. Глушко. М.: Изд-во АН СССР, 1971. Вып. 5
Физико-химические свойства полупроводниковых веществ / Под ред. Новоселовой. М.: Наука, 1978

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель