Исследованы процессы релаксации избыточной энергии и механизмы, ответственные за перегрев активной области ИК излучателей на основе неизопериодических структур с напряженными слоями InGaAs и близких к изопериодическим InAsSbP, излучающих в диапазоне lambda=2.5-5.0 мкм. Для ИК излучателей на основе In_1-xGa_xAs установлена взаимосвязь температур перегрева активной области структуры Delta T с оже-процессами. Показано, что при увеличении x в пределах 0-0.09 эффективность оже-рекомбинации падает, что способствует резкому падению Delta T. При x>0.09 эффективность CHHS-оже-процессов экспоненциально ослабляется, однако в связи с ростом плотности дислокаций из-за существенной величины (~ 6.9%) параметра несоответствия решеток наблюдается, хотя и медленный, но рост Delta T.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.