Журнал технической физики
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Структура и состав термополевых микровыступов из силицидов вольфрама
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 26 февраля 1996 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1997 г.
Термополевые микровыступы, выращенные при нагреве в электрическом поле на поверхности вольфрамового острия с напыленным на него кремнием, исследовались с помощью комплекса полевых эмиссионных методов: полевой электронной, ионной десорбционной микроскопии и атомного зонда. При толщине слоя Si не менее нескольких моноатомных слоев наблюдавшиеся в полевом десорбционном режиме микровыступы вырастали в результате прогрева острия до температур T=1100-1200 K в присутствии начального электрического поля напряженностью F 5.7-8.6·107 В/см. Испаряющее поле составляло 1.2-1.8·108 В/см. Множество движущихся пятен - микровыступов образовывало кольца, которые схлопывались, демонстрируя растворение термополевых наростов на развитых гранях. Наибольший интерес представляли острые микровыступы, выраставшие при определенных условиях на центральной грани 110 вольфрама. Их состав анализировался с помощью атомного зонда. При этом выяснилось, что они состоят из трисилицида вольфрама WSi3 с моноатомной поверхностной коркой, близкой по составу к WSi2. Интенсивный рост таких образований на исходно гладкой плотноупакованной грани 110 вольфрама свидетельствовал о ее реконструкции под влиянием сильного поля и взаимодействия с кремнием.
- Шредник В.Н. // Рост кристаллов. М.: Наука, 1980. Т. 13. С. 68--79
- Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредник В.Н. // Рост кристаллов. М.: Наука, 1991. Т. 19. С. 5--21
- Butenko V.G., Vlasov Yu.A., Golubev O.L., Shrednik V.N. // Surf. Sci. 1992. Vol. 266. P. 165--169
- Голубев О.Л., Конторович Е.Л., Шредник В.Н. // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 3. С. 88--96
- Власов Ю.А., Павлов В.Г., Шредник В.Н. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. Вып. 9. С. 548--552
- Бутенко В.Г., Голубев О.Л., Конторович Е.Л., Шредник В.Н. // Письма в ЖТФ. 1992. Т. 18. Вып. 8. С. 86--91
- Голубев О.Л., Конторович Е.Л., Шредник В.Н. // ЖТФ. 1996. Т. 66. Вып. 3. С. 97--106
- Логинов М.В., Савельев О.Г., Шредник В.Н. // ЖТФ. 1994. Т. 64. Вып. 8. С. 123--131
- Комар А.П., Таланин Ю.Н. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1958. Т. 22. N 5. С. 580--593
- Голубев О.Л., Шайхин Б.М., Шредник В.Н. // Письма в ЖТФ. 1975. Т. 1. Вып. 15. С. 714--718
- Агеев В.Н., Афанасьева Е.Ю., Галль Н.Р. и др. // Письма в ЖТФ. 1986. Т. 12. Вып. 9. С. 565--570
- Dolan W.W. // Phys. Rev. 1953. Vol. 91. N 3. P. 510--511
- Фоменко В.О., Подчернява И.А. Эмиссионные и адсорбционные свойства материалов. Справочник. М.: Атомиздат, 1975. 320 с
- Власов Ю.А., Голубев О.Л., Шредник В.Н. // Изв. АН СССР. Сер. физ. 1988. Т 52. N 8. С. 1538--1543
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
